1) amorphous carbon
非晶态碳
1.
An array film of amorphous carbon nanofibers was synthesized on an anodized aluminum template by the pyrolysis of acetylene in the presence of the Co codeposited in the anodically oxidized layer as the catalysis.
采用乙炔热分解法在多孔阳极氧化铝膜板上制备了定向生长的非晶态碳纳米纤维阵列膜,采用场发射扫描电子显微镜、激光Raman光谱仪和透射电子显微镜观察分析了阵列膜和非晶态碳纳米纤维的组织形态和微观结构,并采用原子力显微镜和环-块式摩擦磨损试验机考察了非晶态碳纳米纤维阵列膜的摩擦性能。
2) vitreous carbon
非晶态碳材料
1.
The dynamic response of vitreous carbon to uniaxial strain loading has been investigated by means of the plate impact experiments.
研究了非晶态碳材料板碰撞下的一维应变动态响应 。
3) a C:F
氟化非晶态碳膜
1.
Amorphous fluorinated carbon(a C∶F) films were grown on Si(100) substrate with plasma immersion ion implantation(PIII) in a mixture of CH 4 and CF 4 gases to study the influence of substrate bias voltage on various properties of the film,including its microstructures,its nano hardness and its hydrophobic properties.
为了研究基体负的低偏压Vb 对氟化非晶态碳膜的结构、纳米硬度和疏水性能的影响 ,采用等离子体浸没与离子注入装置 ,CF4和CH4作为气源 ,在不同的基体偏压下制备了一系列氟化非晶态碳膜。
4) amorphous carbon film
非晶碳膜
1.
N-implantation into amorphous carbon films with different doses was carried out to study the formation of CN bonding.
利用Raman和XPS研究N离子注入前后非晶碳膜化学键合的变化及CN成键情况。
2.
So it is important to analyze the sp~2 and sp~3content in amorphous carbon film qualitatively or quantitatively.
sp2和sp3碳原子的比例是决定非晶碳膜的结构和性能的重要参数。
5) amorphous carbon
非晶碳
1.
Field emission characters of compound film of amorphous carbon and Mo_2C;
非晶碳／Mo_2C混合膜的场发射特性
2.
Ab initio structural simulation and electronic structure of amorphous carbon;
非晶碳结构建模和电子结构的第一性原理研究
3.
The results showed that graphitization and acid boiling had obvious effects on eliminating amorphous carbon at surface and enhancing the crystalline degree of CNTs .
结果表明,石墨化和酸煮对CNTs表面的去除非晶碳、提高晶态化程度的作用都具有明显的效果,而2种方法相结合则对碳纳米管晶化程度的提高作用效果更加显著。
6) amorphic carbon film
非晶碳膜
1.
Several amorphic carbon films with different thickness were deposited on singlecrystal silicon by means of pulse laser ablating graphet target.
用激光烧蚀石墨靶方法在单晶硅衬底表面沉积了不同厚度的非晶碳膜。
2.
Several amorphic carbon films with different thickness were deposited on single crystal silicon by means of pulse laser ablating graphet target at room temprature.
在室温下 ,用激光烧蚀石墨靶方法在单晶硅衬底表面沉积了不同厚度的非晶碳膜。
补充资料：磁性材料3．非晶态磁性材料
磁性材料3．非晶态磁性材料
Magnetie Materials 3.AmorPhous
值[20〕。一般回火温度T.与非晶态合金的晶化温度Tct和玻璃化温度几有密切关系。一般说，各类非晶态合金的Ts和叭，之间的差别不大，而热处理温度多在T:或叭r下50~100℃处，时间在30一120~之间。 表‘硅桐片和非.态合金的磁损耗参数l取向硅钢IF一B13一513一eZ率为例，在Bm二0.IT(l .kGs)和f~50kHz时磁化的非晶态合金的井值的时效如图8所示。可以看到，温度高，产下降快，一般是不可逆的。使用温度不太高(例如100℃)时，材料的性能不易变坏，图9给出了两种c。基非晶态合金的八可群与使用时间的关系。当几~80℃时，经历1a的八可群约20%。总的说来，不少非晶态合金在100℃使用温度下可用5~10a。打500 105375片厚，mm电阻率，阁·cm总损Pt，mw/kg磁滞损耗八，mw/kg涡流很耗p.，m、v/比(P.+凡)/Pt0.280 .025 1250。96 98 73 120。872.5.5.时效2040汀一一 .找\岌勺┌─────────────┐│-一一‘啥二‘月卜二‘”’ │├─────────────┤│二，材，分于不 │└─────────────┘图9两种c。基非晶态合金在不同频率下的时效 I一co--M。耳zr合金;1一co一Fe一Si一B合金3.制备方法O州义岌10 102 103 10 时间，s图8两种非晶态合金的产值与时间的关系I一Fe7寻Ni刁MosB17S诬2;l一Co67.SFe刁.SNi3MoZBI‘5112a一200℃时;b一150℃时 非晶态合金在使用时，由于环境温度、时间的延续等，使其性能有不同程度的变化，称之为时效。以磁导3.L薄带 任何金属及其合金在液态时，其原子配位是拓扑无序或短程序的。在冷却过程中，如能维持其高温时的原子分布状态，并使之固化，就得到非晶态固体。要做到这一点，只有在极快的冷却速率下，使熔质由熔点T，以上冷却到玻璃化温度，:以下。这个速率不是固定的，它和生成的非晶态固体的性质、成分和尺寸有很大关系。对于非晶态合金薄带，冷速要在105一1少K/s范围，对于纯金属要高达1 ol0K/s以上，并在远低于室温下才能保存。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条