1)  Cv Synthesis
化学气相合成
2)  chemical vapour deposition
热化学气相合成
1.
Nanometer SiC powders synthesized through chemical vapour deposition process are briefly introduced.
介绍了通过热化学气相合成法制备的纳米SiC粉末,颗粒呈球形,尺寸分布窄,少团聚,最小尺寸约9nm。
3)  chemical vapor synthesis technology
化学气相合成技术
4)  laser induced chemical vapor synthesis(LICVD)
激光诱导化学气相合成
5)  thermal chemical vapor-phase reaction method
热化学气相合成法
1.
The structure of SiC ultrafine powder synthesised by the thermal chemical vapor-phase reaction method remains a lot of characteristics associated directly with the nucleation and crystal growth.
用热化学气相合成法制备的超细SiC粉末的组织结构,保留了许多与形核生长过程直接有关的许多特点,为用高分辨电子显微术研究其形核生长过程提供了有利条件。
6)  HFCVD
热灯丝化学气相合成
补充资料:等离子气相合成法制粉


等离子气相合成法制粉
plasma vapor phase synthesis of powder

  等离子气相合成法制粉pzasma vapor phasesynthesis of powder在等离子体高温反应器中,通过物理燕发冷凝或化学气相反应过程,直接制取粒径小于100lun超细粉体的一种气相沉积制粉法。常用的是等离子化学气相合成法制粉。 ‘等离子气相合成法制粉所采用的等离子体发生器有直流等离子体发生器、射频等离子体发生器和混合型(直流+射频或射频+射频)等离子体发生器。 原理和工艺过程化学气相合成法有以下两种基本反应形式 分解反应A(气)一B(固)+C(气) 化合反应A(气)+B(气)一、C(固)+D(气)整个过程是通过化学反应、成核、晶粒生长、团聚4个阶段来完成。 ①化学反应:从气相合成某种超细粉时,需将所选定的化学反应式进行热力学的计算和分析,以指明反应能否进行、反应推动力的大小,以及得知产品的最大产率和最低能耗。 ②均匀成核:设有气相反应 aA(气)+bB(气冲=丝eC(固)+dD(气)(1)它的成核速度可以用以下饱和蒸气中液滴均匀成核速度方程来表示 I=Ioa“2(P/T)Zexp[一16二3 VZ/ 3KT(KTlnP/几)〕(2)式中。为液滴与燕气间界面张力,尸为液体实际燕气压,P0为温度T时液体平衡蒸气压,V为液体摩尔分子体积。 由式(2)可见,成核速度I随过饱和度5尸(等于尸/P0)的增大而增高。对于气相沉析反应,其过饱和度又与反应通式(D的平衡常数成比例,因此为得到高的成核速度必须要有很大的反应速度。只有同时具有很大的平衡常数和反应速度的气相反应系统,才有可能生成超细粉末。③晶粒生长:由于气相反应的平衡常数很大,因此可以认为反应的转化率为100%。根据质量守恒定律可以得出生成顺粒直径d的关系式、一搏黯)1,3一A。(岳,1/3(3,式中场为反应物浓度,N为单位反应体中生成的颗粒数,M为反应物的分子量,p为产物密度。 由式(3)可见,产物顺粒的大小与反应物浓度C0成正比,与颗粒数N成反比。而粒度分布情况决定于气相中同时存在的均匀成核速度凡和晶粒生长速度凡的相对大小。当凡相当大时,反应物的浓度迅速降低,导致凡迅速下降,这样就易出现颗粒大且粒度分布不均匀的粉末。但实际上对一个气相反应而言,在初始阶段由于过饱和度很大,因此凡》Rc,随着大量晶核的产生,反应物实际蒸气压降低,过饱和度也降低。因此对过饱和度非常敏感的凡将降低,而同时由于晶核及表面的出现促进了Rc的增长,因此在气相反应的后期凡《凡。最后得到了粒度分布很狭的超细粉末。温度对超细粉末的影响则较复杂,实际上它将最终反应在对凡和兄所产生的综合影响中。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。