1) PMN-PT single crystal
PMN-PT单晶
1.
This thesis is on the surface wave propagation in these PMN-PT single crystals with composition near the morphotropic phase boundary (MPB).
本论文以处于准同型相界附近的PMN-PT单晶为研究对象,以PMN-PT单晶的全矩阵机电系数为基础,研究了在具有不同极化状态下的PMN-PT单晶无限大薄层中传播的兰姆波和水平剪切(SH)波,对不同传播方向声导波的色散特性进行了详细的分析,并计算了模式的位移随空间和时间的分布情况。
2) PMN-32PT single crystal
PMN-32PT单晶
3) PMN-0.26PT single crystals
PMN-0.26PT单晶
4) PMN-PT ceramics
PMN-PT陶瓷
1.
The fluorine substituted PMN-PT ceramics with pure perovskite phase were prepared by semichemical method,and the fluorine came from the raw material PbF2.
以PbF2为氟源,采用半化学法成功制备了钙钛矿相的F取代PMN-PT陶瓷。
2.
The fluorine substituted PMN-PT ceramics with pure perovskite phase were succeeded to prepare by semichemical method,and the fluorine was from the raw material PbF2.
以PbF2为氟源,采用半化学法成功制备了钙钛矿相的F取代PMN-PT陶瓷,并对其体积密度的变化、相的组成、显微结构和介电性能进行了研究。
3.
The dielectric loss decreases and other dielectric properties have not distinctly changed for the PMN-PT ceramics with Li2CO3 or LiNO3 addition,but the dielectric loss increases,the peak of dielectric constants is broaden,the dielectric relaxor characteristic is obvious and the Curie temperature descends for the PMN-PT ceramics with LiF addition.
采用XRD分析陶瓷相组成,并对其介电性能进行测试,结果表明:所有陶瓷样品均为纯钙钛矿相,无任何其它杂相出现;添加Li2CO3和LiNO3使PMN-PT陶瓷的介电损耗降低,而介电常数峰宽、介电弛豫特性以及居里点变化不明显;但添加LiF使PMN-PT陶瓷的介电损耗增大,介电常数峰变宽,介电弛豫更明显,以及居里点下降。
5) PMN-PT film
PMN-PT薄膜
1.
The article foucs on the effect and mechanisms of phase composition of PMN-PT film that deposited on Pt/Ti/SiO2/Si when the TiO_2 as the seed layer.
鉴于在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备纯钙钛矿相Pb(Mg1/3Nb2/3O3)-PbTiO3 (PMN-PT)薄膜是制约其应用的主要瓶颈,本文着重研究了TiO_2种子层对以Pt/Ti/SiO2/Si为衬底的PMN-PT薄膜相组成的影响规律与机制。
6) PIN-PT single crystal
PIN-PT单晶
补充资料：PMN-PT-P2 piezoelectric ceramics
分子式：Pb(Mg1/2Nb2/3)xTiyZrzO3x+y+z=1
CAS号：
性质：一种三元系压电陶瓷。具有广范围的内调节性能，兼有高机电耦合系数（kp=0.76）。高机械品质因素（Qm=400）、高介电常数，时间和温度稳定性好。以氧化铅、氧化钛、氧化铌、氧化镁为原料，经700～850℃预烧合成，再经1100～1300℃高温烧结而成。用于制作压电陶瓷滤波器、变压器、延迟线、换能器等。
CAS号：
性质：一种三元系压电陶瓷。具有广范围的内调节性能，兼有高机电耦合系数（kp=0.76）。高机械品质因素（Qm=400）、高介电常数，时间和温度稳定性好。以氧化铅、氧化钛、氧化铌、氧化镁为原料，经700～850℃预烧合成，再经1100～1300℃高温烧结而成。用于制作压电陶瓷滤波器、变压器、延迟线、换能器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条