1) melting mixing
熔融混炼
1.
The optimum combination of factors for preparing nonyl phenol polyethenoxy ethergrafted cis1,4polybutadiene with the melting mixing method by using diisopropylbenezene peroxide(DCP) was investigated.
探讨以过氧化二异丙苯为引发剂,壬基酚聚氧乙烯醚(环氧乙烷分子数为10)为接枝物,采用熔融混炼法制备壬基酚聚氧乙烯醚接枝顺丁橡胶的最佳因子组合。
2) interanal melt mixing
密闭熔融混炼
3) zone melting
区域熔融[炼]
4) flame melting method
气炼熔融法
5) melt blending
熔融共混
1.
PP/nano-Ti-alloy composites were prepared by melt blending of PP with nano-Ti-alloy.
将纳米钛合金与聚丙烯(PP)经熔融共混制得PP/纳米钛合金复合材料,研究了PP及其复合材料在大气暴露条件下的耐候性,利用傅立叶变换红外光谱仪分析了老化前后PP及其复合材料的化学结构。
2.
Poly(propylene carbonate)/polystyrene(PPC/PS) composites were prepared by melt blending followed by hot compression molding.
利用熔融共混的方法制备了聚丙撑碳酸酯/聚苯乙烯(PPC/PS)复合材料,并通过万能试验机、差示扫描量热分析仪(DSC)、热重分析仪(TG)以及扫描电子显微镜(SEM)分别研究了复合材料的力学性能、热性能及微观形态。
3.
The POE/PP composite was made through melt blending.
用熔融共混法制得了聚烯烃类弹性体(POE)/PP共混体系,研究了不同橡塑比对体系力学性能的影响;考察了不同填料(CaCO3,滑石粉,炭黑)对POE/PP复合材料性能的影响。
6) melt blend
熔融共混
1.
A material for oil adsorption composites was prepared by melt blend method with EPDM as the matrix, the cast-off of mineral extraction(mineral powder)as the filler.
以三元乙丙橡胶(EPDM)作为基体,矿物提取后的废弃物(矿粉)为填料,利用熔融共混的方法,制备出一种新型吸油复合材料,这类材料可以直接漂浮于含油废水表面使用。
2.
The method of preparation by melt blend is compared with intercalation polymerization.
综述了尼龙6/蒙脱土纳米复合材料的制备、结构、性能及应用,比较了插层聚合法和熔融共混法2种制备工艺,介绍了蒙脱土来源、尼龙品种对复合材料结构及性能的影响。
3.
PPS/PEEK melt blend prepared by melt-blending is introduced,and the influence of a dif- ferent content of PEEK and a different size of PEEK particales on the crystallization behavior of PPS in the PPS/PEEK blend is investigated by DSC.
采用熔融共混法制备结晶/结晶共混体系PPS/PEEK,并用差示扫描量热法研究了不同PEEK含量和不同PEEK粒径对PPS/PEEK共混物中PPS组分结晶行为的影响。
补充资料：区域熔融[炼]
分子式：
CAS号：
性质：又称区域熔融[炼]。是提纯物质的一种方法。利用杂质在材料中的固相和液相中溶解度的差别，控制杂质在其中的含量，使材料被提纯。将棒状材料的一端加热熔化，形成一狭窄的熔区。移动加热器，使熔区缓慢地向另一端推近。原已熔化的部分又凝固。通过多次这样的区域熔化和再凝固，可以使大部分杂质集中在棒的某一端，而棒的其余部分可达极高的纯度。通过此法可使锗中杂质含量降至十亿分之一（10-9），可使硅中杂质降至万亿分之一（10-12），为半导体工业提供高纯锗和硅。此法也可以用来在纯物质中均匀地注入严格控制量的杂质（如把铟注入锗中）。
CAS号：
性质：又称区域熔融[炼]。是提纯物质的一种方法。利用杂质在材料中的固相和液相中溶解度的差别，控制杂质在其中的含量，使材料被提纯。将棒状材料的一端加热熔化，形成一狭窄的熔区。移动加热器，使熔区缓慢地向另一端推近。原已熔化的部分又凝固。通过多次这样的区域熔化和再凝固，可以使大部分杂质集中在棒的某一端，而棒的其余部分可达极高的纯度。通过此法可使锗中杂质含量降至十亿分之一（10-9），可使硅中杂质降至万亿分之一（10-12），为半导体工业提供高纯锗和硅。此法也可以用来在纯物质中均匀地注入严格控制量的杂质（如把铟注入锗中）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条