1) liquid argon low-pressure gasification
液氩低压气化
2) liquid argon high-pressure gasification
液氩高压气化
3) Low pressure liquefied gas
低压液化气
4) low pressure liquefied gases
低压液化气体
5) Ar pressure
氩气分压
1.
Effect of Ar pressure and film thickness on the microstructure and stress properties of Al films;
氩气分压与膜厚对溅射Al膜微结构及应力的影响
2.
Al films, grown on Si wafers by DC magnetron sputtering, were studied with X-ray diffraction and optical phase-shift technology at different Ar pressures.
在不同氩气分压下,用直流溅射法在室温Si基片上制备了不同厚度的Al膜。
6) Argon pressure
氩气压
1.
The Influence of sputtereing argon pressure and power on the properties of DyFeCo amorphous film are discussed.
本文采用射频磁控溅射方法制备了ＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜，研究了氩气压，溅射功率对ＤｙＦｅＣｏ薄膜性能的影响，实验表明：反射率随氩气压升高而降低，矫顽力随氩气压升高而逐渐增大，达到一定值时克尔回线反向，随后矫顽力又逐渐减少，高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好，但氩气压进一步升高，磁光克尔回线矩形度变差，本征磁光克尔角随氩气压升高而增大，到达最大值后又逐渐减少。
补充资料：氩39-氩40法测年
分子式：
CAS号：
性质：将含钾样品放入核反应堆中接受快中子照射，40K核被打进一个中子，而后放出一个质子，形成39Ar，用质谱计测定被照射样品的40Ar/39Ar比值，代替常规钾-氩法中40Ar/40K比值，从而计算出样品年龄的方法，计算公式如下：t=λ-1ln(1+J•40Ar/39Ar)。式中J=39Ar/40Ar•λ/λkΔT∫φ(ε)σ(ε)dε是样品照射持续的时间，Ф(ε)是能量为ε时的中子通量，σ(ε)为39K(n，p)39Ar的反应截面，实验中用一已知年龄(ts)的标准与待测样品一块进行辐照，由下式求得J值：J=(eλt-1)/(40Ar/39Ar)。此方法解决了过去钾、氩分别由不同方法测定所产生的不同误差使年龄精度较低的弊端；同时由于照射后样品氩的释放可采用阶段加温方法，对一个样品便可获得一系列的表面年龄，最终得到代表矿物或岩石结晶的稳定坪年龄；或由等时线法处理得到样品的年龄、认识外来氩的混入状况。
CAS号：
性质：将含钾样品放入核反应堆中接受快中子照射，40K核被打进一个中子，而后放出一个质子，形成39Ar，用质谱计测定被照射样品的40Ar/39Ar比值，代替常规钾-氩法中40Ar/40K比值，从而计算出样品年龄的方法，计算公式如下：t=λ-1ln(1+J•40Ar/39Ar)。式中J=39Ar/40Ar•λ/λkΔT∫φ(ε)σ(ε)dε是样品照射持续的时间，Ф(ε)是能量为ε时的中子通量，σ(ε)为39K(n，p)39Ar的反应截面，实验中用一已知年龄(ts)的标准与待测样品一块进行辐照，由下式求得J值：J=(eλt-1)/(40Ar/39Ar)。此方法解决了过去钾、氩分别由不同方法测定所产生的不同误差使年龄精度较低的弊端；同时由于照射后样品氩的释放可采用阶段加温方法，对一个样品便可获得一系列的表面年龄，最终得到代表矿物或岩石结晶的稳定坪年龄；或由等时线法处理得到样品的年龄、认识外来氩的混入状况。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条