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1)  Visible laser
可见激光
1.
This paper present the scheme of high power(20 W) scan laser with visible laser light (0.
阐述了高功率(20W)可见激光(0。
2)  visible light irradiation
可见光激发
1.
New splitting water photocatalysts under visible light irradiationwith;
新型可见光激发解水材料的研究进展
3)  visible laser
可见激光器
4)  laser-induced incandescence
激光诱导可见光
1.
A laser-induced incandescence (LII) diagnostics system with 2-color calibration unit was set up.
建立了一套基于激光诱导可见光法(laser-induced incandescence,LII)及双色标定法的颗粒体积浓度定量诊断系统。
5)  AlGaInP visible lasers
AlGaInP可见光激光器
6)  visible beam laser
可见光束激光器
补充资料:可见光半导体激光材料


可见光半导体激光材料
visible semiconductor laser materials

可见光半导体激光材料visible semiconductorlaser materials激光波长在0 .3一0 .7召m范围内的半导体激光材料。按激光颜色可分红光半导体激光材料、蓝绿光半导体激光材料。可见光半导体激光材料的禁带宽度比红外半导体激光材料的宽。波长愈短,禁带愈宽。 红光半导体激光材料目前已用于制备0.6一0.7召m波段激光器的材料全部是nl一V族化合物半导体(表1),故其晶体结构、能带结构一致,禁带宽度、晶格表1红光半导体激光材料┌────┬───────┬────────┬───┬───────┐│波长 │激活层 │限制层 │衬底 │备注 ││ (刀m) │ │ │ │ │├────┼───────┼────────┼───┼───────┤│ 0 .67 │Ga:一xAI二As │ Ga卜,AI,As │GaAS │x二0 .4y=0,7 ││ 0 .67 │Ga。.Sln。.SP │ Ga卜盆Al沈As │GaAs │ x>0 .7 ││ 0 .67 │Gao .Slno.。P │Ino .5(Ga,一、 │G月A只│ x二0 .4一1 ││0 .58一 │Inl一了(Ga卜x │ Alx)。.。P ├───┤ ││ 0 .69 │ Alx),P │ In卜环Ga卜丫 │GaAS │ ││ │ │ AI了),,P │ │ │└────┴───────┴────────┴───┴───────┘常数、折射率与组分和温度关系遵循相同规律。当使用Gal一xAlxAs/GaAs时,其激活层含有很高的AI组分,禁带宽度E;〔。V)┌─────────────┐│ AIS”沁一_ │├─────────────┤│l一 │├─────────────┤│ 沪 ││一/InP ││ 了曰、. │├─────────────┤│一牙长若 │└─────────────┘毕绷GaAs邝一0 QC6.6.﹄沉 ︵代︶杯枉滚咯外GaAIAs激光器可见光InGa人l尸激光器O一40。6〔k 81。t卜 滋射波长(林m) (AlxGa:一、),In,一,l,的禁带宽度、 晶格常数与组分的关系氧化造成优质异质结生长困难,并引起器件快速退化,故其实际应用较少。实用化的红光半导体材料是InGaAIP/GaA氏其禁带宽度、晶格常数间的关系如图所示。
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参考词条