1) mechanism of material remove and surface generation
表面形成和材料去除机理
2) material removal mechanism
材料去除机理
1.
It is found that the dominant material removal mechanism in precision grinding of n- Al2O3/13TiO2 coatings is as brittle fracture including chippping and crushing which is added with.
应用扫描电镜对纳米结构Al2O3/13TiO2(n-Al2O3/13TiO2)涂层精密磨削后的表面/亚表面形貌进行观察和分析,结合对n-Al2O3/13TiO2 精密磨削的单颗磨粒磨削力、磨削力分力比和比磨削能的磨削实验结果的分析,揭示了n-Al2O3/13TiO2 涂层精密磨削的材料去除机理。
2.
It is necessary to study the material removal mechanism in grinding of nanostructured ceramic coatings.
纳米结构陶瓷涂层具有优异的性能,但在工业应用中不但其涂层制备技术而且其精密磨削技术对涂层的使用性能均具有重要影响,因此对其磨削时的材料去除机理的研究成为必要。
3.
The material removal mechanism into abrasive jet precision finishing machining with grinding wheel as restraint was investigated,based on the size ratio of characteristic particle size to film thickness between grinding wheel and workpiece.
基于磨粒特征尺寸与砂轮、工件间液膜厚度比值的变化,研究了砂轮约束磨粒喷射精密光整加工材料去除机理。
4) Material removal
材料去除
1.
Research on material removal of magnetorheological finishing;
磁流变抛光材料去除的研究
2.
Study on material removal theoretical model of zone polishing technology
环带抛光技术材料去除理论模型研究
3.
Analyzing the understanding of previous polishing mechanism,our comprehension and hypothesis of material removal mechanism of super smooth surface polishing are enunciated.
胶体SiO2抛光LBO晶体获得无损伤的超光滑表面,结合前人对抛光机理的认识,探讨了超光滑表面抛光的材料去除机理,分析了化学机械抛光中的原子级材料去除机理。
6) material removal rate
材料去除率
1.
Contrastive experiments on conventional lapping and ultrasonic lapping indicate that the material removal rate of the latter is three times that of the former.
进行了普通与超声研齿对比试验表明,超声研齿材料去除率可达到普通研磨的三倍,齿面微切削与塑性流动纹理明显,点蚀深度、划痕长短均匀,齿面质量明显优于普通研磨齿面,即粗糙度低至0。
2.
Both high material removal rate(MRR) and smooth surface have to be achieved in primary chemical mechanical polishing(CMP) of hard disk substrates.
硬盘盘基片粗抛光必须在较高材料去除率的基础上获得高表面质量。
3.
The relationship between the material removal rate and the machining parameters is discussed by experiments.
以玻璃为被加工工件的材料,对数控旋转超声加工的工艺进行了初步试验研究,分析了材料去除的机理,通过工艺试验探讨了磨料粒度、工具旋转转速、工作台进给速度、分层厚度等工艺参数对材料去除率的影响。
补充资料：半导体材料表面和界面观察
半导体材料表面和界面观察
surface and interface observation for semiconductor
bandaotl eaillaob旧om旧n he Jiemlan guaneho半导体材料表面和界面观察(s urface and in-terfaee observation for semieonduetor)测定半导体表面相界面的原子排列微区成分和电子态是半导体材料测蚤的重要内容之一。在半导体的表面，不同半导体之间或半导体与金属之间形成的界面上，原子排列和与之相联系的电子结构与半导体内部的情形是不同的。因此，半导体的表面和界面是半导体物理和半导体器件物理研究的重要对象。同时，电子工业特别是微电子工业的发展也为表面和界面分析提供了一个重要的应用场所。所分析的半导体表面多属于清洁表面和再构表面，要求分析仪器试样室的真空度达到10一SPa。 可利用电子束、离子束、原子束、光子和外场如电场、磁场、热场等与表面和界面附近的物质交互作用，得到关于表面和界面原子排列、微区成分和电子态等重要信息。用于表面结构分析的方法主要有低能电子衍射，反射高能电子衍射，场离子显微镜，低能离子散射谱，原子、分子束散射和表面X射线吸收边精细结构等。用于表面成分分析的方法主要有俄歇电子谱、X射线光电子谱、二次离子质谱和离子散射谱等。用于表面形貌分析的方法有表面敏感透射电子显微技术、反射电子显微技术和扫描隧道电子显微技术，这些方法可以直接得到原子尺度的表面形貌细节。它们已成功地用于观察和分析半导体的表面台阶、Si(111)和GaAs(100)表面再构、外延生长和表面反应等。上述方法有些也可适用于界面分析，但最适于界面分析的是电子显微镜断面试样观察法。这种方法是将具有多层结构的半导体材料或半导体器件做成适于透射电子显微镜分析的横断面薄膜，然后在电子显微镜内观察和分析。可用普通透射电子显微镜、高分辨电子显微镜或分析电子显微镜研究。已广泛应用在器件、电路多层结构、异质结和超晶格等分析中。例如Au一Ni一Ge与GaAs的欧姆接触、Pd/GaAs的界面反应以及AIAs/GaAs等超晶格界面和离子注入等器件工艺中。 (李永洪)
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参考词条