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1)  optical dielectric properties
光学介电性质
1.
Linear (refractive indices) and nonlinear optical dielectric properties of urea crystal are quantitatively calculated, by using the ab initio quantum chemistry calculations at the SCF (selfconsistent field) level of theory.
利用量子化学的第一性原理,在自洽场理论水平上对尿素晶体的线性和非线性光学介电性质进行了定量计算,获得了与实验值相符的理论计算结果。
2)  nonlinear optical medium
非线性光学介质
1.
It s application to measuring nonlinear refractive index and nonlinear absorption coefficient for nonlinear optical medium is made.
介绍了Z-扫描技术的基本原理,以及Z-扫描技术在测量非线性光学介质的非线性折射率、非 线性吸收系数等方面的应用。
3)  optical medium
光学介质
1.
B integral properties of ultra-short pulse in optical medium
超短脉冲在光学介质中传输的B积分特性
2.
Condition of limiting light of nil suck nonlinearity periodic structure optical medium filled in F-P cavity are discussed in this paper.
讨论在F—P腔中无吸收的非线性周期结构光学介质的限光条件。
3.
This paper studies on the real-time measurement of chroma, luminous flux and optical medium based o.
然后,从色度学和光度学等科学的角度出发,推导了用于色度、光度以及光学介质特性测量的理论基础。
4)  Medium Optics
介质光学
5)  optical and electrical properties
光电学性质
1.
Doped indium oxide transparent conductive films have been widely used in various optoelectronic devices, because of their unique optical and electrical properties such as high transmittance in the visible region, high reflectance in the IR region and low resistivity.
再次,利用直流磁控溅射制备ITO薄膜,研究氮气气氛中不同温度退火处理对ITO薄膜结构、表面形貌和光电学性质的影响。
6)  dielectric properties
介电性质
1.
Preparation and dielectric properties of BaTiO_3/SrTiO_3 multilayer thin films;
BaTiO_3/SrTiO_3多层膜的制备及其介电性质
2.
Pulsed-laser deposition of Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3, Pb_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3 and Pb_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3 films and their dielectric properties;
脉冲激光沉积Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3、Pb_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3和Pb_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜及其介电性质
3.
Effect of TiO_2 anatase layer on the microstructure and dielectric properties of (Ba_(0.6)Sr_(0.4))TiO_3 films prepared by pulsed laser deposition;
二氧化钛过渡层对脉冲激光沉积钛酸锶钡薄膜微结构和介电性质的影响
补充资料:半导体材料的光学性质


半导体材料的光学性质
optical property of semiconductor

bondaotl eol}旧0 de guongxue xjngzhl半导体材料的光学性质(optieal property ofsemiconduetor)半导体材料中原子、电子与光子的相互作用涉及到半导体材料对光的透射、吸收和发光。半导体材料的光学性质与半导体材料的禁带宽度E:及材料中的杂质原子种类和状态密切相关,导致各类半导体材料在化学性质上有很大差异。 透射可见光的光子能量在1一3eV范围内,因此对于E:>3eV的晶体(大多是绝缘体)可见光将不被吸收,这样的材料是透明或接近透明的。对于E:小的晶体,例如金属的E:一o,透入的可见光将全部被吸收,材料不透明。半导体材料的Eg在接近3eV时呈半透明状,Eg小的半导体材料对可见光不透明,但大部分半导体对于波长较长的红外光则是透明的。 吸收光照射到半导体上,除部分反射外,一部分将透入半导体。光子能量凡>E,时,价带中的电子吸收后,可激发到导带中去,在价带中留下空穴。这种由光照引起的载流子浓度的增加,导致电导率的增加,称为光电导。△,~q(△n产n+△P产p),式中,为电导率,△n和△P为光注入的非平衡载流子浓度;q为电子电量;群。和产。分别为电子和空穴迁移率。光照引起本征激发,称为本征光电导,光照引起杂质激发,称方杂质光电导。根据这一原理可制作光敏电阻。 在弱光照的条件下,少数载流子可增加几个数量级,而多数载流子增加不多。在停止光照后,增加的少数载流子将被复合掉。非平衡少数载流子从产生到复合掉的平均时间:称为少子寿命。显然如果禁带中存在着深能级,又称复合中心,将大大增加复合率和产生率,会使它变小。 发光光照或加以电场的作用,可以使半导体材料中的电子处于激发态,这些处于激发态的电子必然会向较低的能级跃迁,并以光辐射的形式释放出能量,这就是半导体材料的发光现象。由于硅、锗的能带结构属于间接能隙,导带底不在叉一。处,因此在复合过程中必须通过声子和复合中心进行,这样的复合一般是非辐射性的。但砷化稼与硅、锗不同,它的导带底和价带顶都位于叉~o处,是直接能隙材料,导带中的电子可以直接与价带中的空穴复合发射出能量w一E:的光子。按激发的方式,半导体发光可分为场致发光(电致发光)或光致发光。发光二极管一般采用场致发光。 (施钵行)
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