说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 金属半导体转变温度TP
1)  metal-semiconductor transition temperature T P
金属半导体转变温度TP
2)  metal-semiconductor transition temperature
金属-半导体转变温度
1.
Magnetotransport measurements showed that the metal-semiconductor transition temperature (TP) of the samples is 251K, and near Tp the giant magnetoresistance (GMR) peak vaues reach 72% and 85% under 5T and 13T magnetic field, respectively.
材料的铁磁相变温度Tc为257K,其金属-半导体转变温度Tp为251K。
3)  semiconductor-metal transition
半导体-金属转变
4)  metal-to-semiconductor transition
金属-半导体转变
5)  transition temperature T P
磁转变温度TP
6)  ferromagnetic metallic to paramagnetic insulating transition
绝缘体-金属转变温度
补充资料:半导体温度表


半导体温度表
semiconductor thermometer

bsndaoti wendUbi8O半导体温度表(semieonduetortllellllome-ter)用半导体热敏电阻作感温测头的一种测温仪器。只有一个测头的叫半导体点温计农业气象研究中普遍使用多测头半导体温度计,测头,叮多至l’!‘个以上 热敏电阻用NIO·Mn 03……等多种氧化物半导体材料制作,它的电阻值能随温度的变化而改变电阻值与温度之间的关系常用下式表示: BnRT”A。e介式中R了是热敏电阻的阻值;T、是开尔文温度;B:为热敏电阻材料系数,它决定于半导体材料的物理特性;A。是一个与半导体材料和热敏电阻的形状、尺寸RT八﹄“引,大小有关的常数。 半导体温度表接入不平衡电桥中工作,如图。电桥输出端接电流表或检流i十A指示温度值,这就是直读式半导体温度表。它结构简单.成本低,应用比较普遍。农田小气候观测需要测头多、线性度和互换性好的直读式半导体温度表。电桥参数可按下式计算: RZ=(R;/R3)·RO F半导体温度表测温原理示意图和RA一(Bn一ZTc)R。·凡RZ(B。+ZTc)一(Bn一ZTc)Re式中Tc是测温范围的中点温度,R0是起始温度T0时RT的值,Rc是Tc时RT的值,Bn、R。、Rc均用实验方法获得,ra是电表A内阻,R3和R;是两个固定电阻的阻值。电桥参数按上述公式选定后,只要保证指示电流表的ra及其满度电流不变,则整个仪器及测温头全部可互换。 半导体温度表的优缺点主要由热敏电阻的特点所决定。热敏电阻的优点之一是体积小,直径可以小于0.2毫米,因此适于多种场合应用;它和周围环境的热交换量小,不会影响环境温度值,测温较准确;反应灵敏,观测迅速,能满足同时性要求,观测资料的可比较性好。其次是电阻温度系数大,可忽略或减少传输导线长度变化的影响,适于遥测。主要缺点是热敏电阻阻值的稳定性还不够理想(一般年变化量在0.1%左右),影响准确度的提高。另一个问题是温度与电阻值之间为非线性关系,制作仪器时需要进行线性化处理,工艺比较复杂。探索新材料新工艺,不用氧化物而改用硅、硼等单晶材料,以提高其稳定性能,或直接制造出线性型的热敏电阻器,能大大改善半导体温度表的性能。(李阳里)
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条