1) magnetoresistance random access memory(MRAM)
磁电阻随机存储器(MRAM)
2) MRAM
磁阻式随机存取存储器
1.
The Research of MRAM Storage;
磁阻式随机存取存储器研究
3) RRAM
电阻随机存取存储器
4) magnetic random access memory
磁性随机存储器
1.
An analytical expression of the current induced magnetic field in magnetic random access memory (MRAM) has been presented in this paper.
根据磁性随机存储器(MRAM)设计的实际需要,建立了MRAM中相互垂直的字线和位线电流所产生的磁场的解析分布模型。
2.
This paper introduced the giant magnetoresistance materials and their applications to magnetoresistance sensors,read head for high density magnetic recording and magnetic random access memory.
介绍了巨磁电阻材料在高密度读出磁头、磁传感器、磁性随机存储器等领域的应用。
5) MRAM
磁随机存储器
1.
Perpendicular current-driven magnetization switching in free layer of magnetic tunneling junctions and MRAM;
磁随机存储器中垂直电流驱动的磁性隧道结自由层的磁化翻转
6) FRAM (Ferromagnetic RAM )
铁磁随机存储器
补充资料：随机存储器
| 随机存储器 random access memory 以相同速度高速地、随机地写入和读出数据（写入速度和读出速度可以不同）的一种半导体存储器。简称RAM。RAM的优点是存取速度快、读写方便，缺点是数据不能长久保持，断电后自行消失，因此主要用于计算机主存储器等要求快速存储的系统。按工作方式不同，可分为静态和动态两类。静态随机存储器（SRAM）的单元电路是触发器，存入的信息在规定的电源电压下便不会改变。SRAM速度快，使用方便。动态随机存储器 （ DRAM ） 的单元由一个金属-氧化物-半导体（MOS）电容和一个MOS晶体管构成，数据以电荷形式存放在电容之中 ，需每隔 2～4毫秒对单元电路存储信息重写一次（刷新）。DRAM存储单元器件数量少，集成度高，应用广泛。
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参考词条