1) Defect of reaction mechanism
反应机理缺陷
2) defect reaction
缺陷反应
1.
The stability and defect reactions of neutral and charged H interstitial (H i) and H vacancy (H v) in KH 2PO 4(KDP) have been studied by an ab initio method.
这些结果在原子层次上清楚地解释了实验所建议的缺陷反应机
2.
The analysis of surface effect is based on defect reaction and diffusion theory, the study for surface effect will have good guidance to the improv.
利用缺陷反应和扩散原理对表面层效应进行了初步分析,指出表面层效应的研究对改善和调节材料的电学性能具有重要的指导意义。
3) nonradiative carrier recombination
点缺陷反应
4) Defect reaction equation
缺陷反应方程
5) response inhibition deficit
反应抑制缺陷
1.
Using the flanker task of different conflict levels combined with endogenous and exogenous cues,this research examined whether there were response inhibition deficits and modulatory effects of spatial attention on the flanker task of different conflict levels in ODC patients.
结果表明:强迫症患者不同冲突水平的侧抑制任务均无明显反应抑制缺陷,可能与其注意威胁性信息等有关;集中注意在知觉冲突水平上对强迫症患者和正常人的反应冲突进行调节且无显著性差异,可能与强迫症患者关注内容非空间定向有关。
补充资料：低能核反应机理
低能核反应主要通过复合核反应和直接反应两种机理进行。
复合核反应 复合核反应模型是丹麦科学家N.玻尔于1936年提出来的。该模型假定低能核反应分两阶段进行，而且彼此独立。第一阶段为复合核的形成，即入射粒子和靶核融合为一个新核，称为复合核，历时约10-22秒；第二阶段为复合核的衰变，即复合核分解为出射粒子和剩余核，经历时间比第一阶段长得多，约为10-19～10-13秒。这样，复合核反应可表示为：A+a─→C─→B+b式中C表示复合核。以上两阶段是相互独立的,即复合核如何衰变只决定于复合核本身的性质，而与其形成方式无关。换言之,复合核对于自己的形成方式失去"记忆"。例如,复合核64Zn*可以由两个核反应生成，有三种衰变方式：
实验测得其反应截面的比为：
证实了上述假定。
直接反应 入射粒子能量较高时，与靶核表面或内部单个核子相互作用，而将本身一部分能量传递给靶核中的一个或几个核子，后者还来不及把能量分配给其他核子时就被发射出来，这种相互作用称为直接反应。直接反应是在约等于入射粒子穿越靶核所需的时间（10-22～10-20秒）内完成的。依情况不同又可分为：
①表面直接作用 当入射粒子能量比较低时，主要与靶核表面结合得最松的核子发生作用，而将后者激发（表面激发）或打出（表面嬗变）。
②体内直接作用 当入射粒子能量比较高时，可将靶核深处的核子打出来。这种反应称敲出反应。
③削裂反应 当入射粒子在靶核边缘掠过时，入射粒子的一个或几个核子被靶核所俘获，其余部分继续前进，如(d,p)反应和(d,n)反应。
④拾取反应 入射粒子掠过靶核时，从它里面拾取一个或很少几个核子而结合成较重的粒子并向外飞出，如(p,d)反应和(n,d)反应。
⑤非弹性散射 入射粒子把部分能量直接传给靶核而使后者激发，其本身则继续飞行。这种非弹性散射同复合核发射与入射粒子相同的出射粒子不同，属于直接反应。
⑥电荷交换反应 入射粒子与靶核不交换粒子，只交换电荷，如(p,n)反应和(3He,t)反应。
参考书目
M.Lefort,Nuclear Chemistry,Van Nostrand,London,1968.
复合核反应 复合核反应模型是丹麦科学家N.玻尔于1936年提出来的。该模型假定低能核反应分两阶段进行，而且彼此独立。第一阶段为复合核的形成，即入射粒子和靶核融合为一个新核，称为复合核，历时约10-22秒；第二阶段为复合核的衰变，即复合核分解为出射粒子和剩余核，经历时间比第一阶段长得多，约为10-19～10-13秒。这样，复合核反应可表示为：A+a─→C─→B+b式中C表示复合核。以上两阶段是相互独立的,即复合核如何衰变只决定于复合核本身的性质，而与其形成方式无关。换言之,复合核对于自己的形成方式失去"记忆"。例如,复合核64Zn*可以由两个核反应生成，有三种衰变方式：
实验测得其反应截面的比为：
证实了上述假定。
直接反应 入射粒子能量较高时，与靶核表面或内部单个核子相互作用，而将本身一部分能量传递给靶核中的一个或几个核子，后者还来不及把能量分配给其他核子时就被发射出来，这种相互作用称为直接反应。直接反应是在约等于入射粒子穿越靶核所需的时间（10-22～10-20秒）内完成的。依情况不同又可分为：
①表面直接作用 当入射粒子能量比较低时，主要与靶核表面结合得最松的核子发生作用，而将后者激发（表面激发）或打出（表面嬗变）。
②体内直接作用 当入射粒子能量比较高时，可将靶核深处的核子打出来。这种反应称敲出反应。
③削裂反应 当入射粒子在靶核边缘掠过时，入射粒子的一个或几个核子被靶核所俘获，其余部分继续前进，如(d,p)反应和(d,n)反应。
④拾取反应 入射粒子掠过靶核时，从它里面拾取一个或很少几个核子而结合成较重的粒子并向外飞出，如(p,d)反应和(n,d)反应。
⑤非弹性散射 入射粒子把部分能量直接传给靶核而使后者激发，其本身则继续飞行。这种非弹性散射同复合核发射与入射粒子相同的出射粒子不同，属于直接反应。
⑥电荷交换反应 入射粒子与靶核不交换粒子，只交换电荷，如(p,n)反应和(3He,t)反应。
参考书目
M.Lefort,Nuclear Chemistry,Van Nostrand,London,1968.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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