1) semi-carbonization
半碳化
1.
By using the high strength and high modulus polyvinyl alcohol fiber as a raw material, and controlling the technics and conditions of aldolisation and semi-carbonization treatment, the fiber which has the appropriate degree of cross-linking is obtained, then the fiber is sulphonated with concentrated H_2SO_4 to gain the high strength polyvinyl alcohol cation-exchange fiber.
以高强高模聚乙烯醇纤维为原料,通过控制缩醛化和半碳化工艺及条件对原料纤维进行缩苯甲醛化和半碳化处理,制备出具有适宜交联度的纤维,然后用硫酸对交联纤维进行磺化处理,制备了高强聚乙烯醇基阳离子交换纤维。
2) partial carbonization
局部碳化;半碳化
3) semi-insulating silicon carbide
半绝缘碳化硅
1.
Semi-insulating silicon carbide (SiC) can be used for many applications related to high power device, deep submicron device, and microwave power device technology.
半绝缘碳化硅(SiC)材料对于SiC器件的制作和性能具有非常重要的意义,特别是对功率器件、深亚微米器件和微波功率器件更是如此。
4) semi-carbonized polyacrylonitrile fiber
聚丙烯腑基半碳化纤维
6) carbon dioxide semiauto-welder
二氧化碳半自动焊机
补充资料：碳化硅半导瓷
一种重要的陶瓷半导体材料。俗称"金刚砂"。化学式SiC,分子量40，天然产物极少。工业用碳化硅是石英砂与焦炭混合加热至2000～2400℃而制得。纯碳化硅是无色晶体，绝缘电阻很高。含有杂质以及硅或碳过量时,碳化硅呈暗黑色或灰绿色，属半导体。含V族元素杂质和含Ⅱ、Ⅲ族元素杂质的碳化硅晶体分别呈n型和p型；硅过量和碳过量的碳化硅晶体分别呈n型和p型。将半导体碳化硅粉粒加入粘土或玻璃等作粘结剂（加入量约占35～50％），在氢气保护下经过1200～1400℃烧结，可以制造比较致密的碳化硅半导瓷。这种瓷呈灰黑色,具有类似氧化锌半导瓷的非线性伏安特性，也是制造过电压保护器件的重要材料。碳化硅半导瓷的出现和应用都远较氧化锌半导瓷早，但由于其烧结条件较难，非线性特性不如氧化锌半导瓷好，60年代后期以来在电工技术领域的应用不如氧化锌半导瓷发展得快。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条