1) Etch stop
位错中止腐蚀
2) etching-stop
腐蚀停止
1.
A typical fractal phenomenon during fabricating handfree ultrthin silicon membrane by etching-stop is presented.
利用浓硼扩散腐蚀停止技术制备自由悬空硅薄膜时 ,在薄膜的表面观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构 。
3) inhibition of corrosion
腐蚀阻止
4) corrosion control
腐蚀防止
5) etch-stop
自停止腐蚀
1.
Research on deep boron diffusion etch-stop layer silicon wafer process;
高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片工艺研究
2.
A novel process of fabricating sub-micro beams with contactless electrochemical etch-stop technique is presented.
根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件,结合硅材料的各向异性腐蚀特性,设计器件结构,利用腐蚀暴露面积变化实现了硅的选择性自停止腐蚀。
3.
The p+ layer used in highly-doped boron etch-stop and pn junction used in electrochemical etch-stop is not thin enough to achieve thickness in sub-micro or nano dimension.
纳米结构加工的控制精度要求较高,浓硼自停止所需的浓硼扩散层和电化学自停止腐蚀所需的pn结由于浅结制作难度高,导致制作亚微米和纳米厚度结构比较困难,往往需要使用SOI硅片等昂贵的衬底材料。
6) self stop etching process
自截止腐蚀
1.
Thin silicon foils with thickness about 3 to 4 μm are prepared by semiconductor process combined with heavy doped self stop etching process.
以重掺杂自截止腐蚀工艺制备的厚度为 3～ 4μm的自支撑Si平面薄膜已在X光激光和惯性约束聚变分解实验中得到应用。
补充资料：不全位错
不全位错
partial dislocation
不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界，也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例，最常。二‘。一‘，，，、~，，一一，、，、二加，‘爪1，，，八、~，.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘，~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层，并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错，此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错， 1‘，，。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错，正弗兰克不全位错，。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在，所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移，而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外，在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中，不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，通常称为扩展位错。 (杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条