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1)  metal film deposition
金属膜淀积
2)  metallization deposition
金属化淀积
3)  deposited metal film
积附金属膜
4)  deposite metal films
沉积金属薄膜
5)  metal deposit
(沉积法)金属涂膜
6)  MOCVD
金属有机化学气相淀积
补充资料:化学气相淀积(chemicalvapourdeposition(CVD))
化学气相淀积(chemicalvapourdeposition(CVD))

化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中,由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2,Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长,特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD(MOCVD)。

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