1) cadmium zinc telluride crystal wafer
碲锌镉晶片
1.
The four cadmium zinc telluride crystal wafers of having different annealing condition were measured by means of Raman microscopy.
测量了 4 块不同退火条件处理碲锌镉晶片的显微 Raman 光谱,观察到了与碲锌镉材料及材料中Te 沉积晶格振动相对应的 Raman 散射峰,发现了位于 327 cm-1/332 cm-1 的新峰。
2) CZT wafer
碲锌镉单晶片
5) CdZnTe
碲锌镉
1.
Research on Growth and Properties of CdZnTe Single Crystal;
优质碲锌镉单晶的生长及性能测试
2.
Evolution of Solid-liquid Interface of CdZnTe Crystal Growth by Vertical Bridgman Method;
碲锌镉垂直布里奇曼法晶体生长过程固液界面的演化
3.
Morphology characteristics of etch pits on CdZnTe crystals developed by usual etchants;
碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究
6) CZT
碲锌镉
1.
An Experimental Study of the Polishing Process for CZT Crystal;
碲锌镉晶体基片抛光工艺的实验研究
2.
Firstly,in Raman,we measures CZT s Raman spectra in Anti-Stokes.
文章对碲锌镉 (CZT) (1 1 1 )取向的拉曼光谱和光荧光谱作了分析。
补充资料：热压多晶碲化镉陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：周期性第III、VI族化合物半导体陶瓷。密度5.85g/cm3。热膨胀系数5.9×10-6℃-1。不溶于水。折射率很高，在5μm波长处达2.7，透射波段为2～30μm。在整个透射波段没有吸收带。采用热压法制备。用于8～30μm波断内工作的红外器件。
CAS号：
性质：周期性第III、VI族化合物半导体陶瓷。密度5.85g/cm3。热膨胀系数5.9×10-6℃-1。不溶于水。折射率很高，在5μm波长处达2.7，透射波段为2～30μm。在整个透射波段没有吸收带。采用热压法制备。用于8～30μm波断内工作的红外器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条