GAMP,GAMP,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) GAMP

GAMP

2) Gallium

Density and Viscosity of Gallium Melt and Its Microstructure;

液态Ga的密度和黏度及其微观结构

Gallium bearing ferrites with different gallium content were synthesized by oxidation of ferrous and gallium ions under alkaline condition and room temperature.

采用氧化-沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量。

The adsorption behavior of nanometer TiO_2 towards Gallium (Ga) Indium (In) and Thallium (Tl) was investigated with inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES).

研究了纳米TiO2材料对Ga,In,Tl的吸附性能,考察了吸附动力学、最佳酸度、富集倍数和吸附容量,确定了待测金属离子的最佳吸附条件。

3) Ga

Influences of Gallium on Microstructure and Mechanical Properties of Mg-x%Al-2%Ga Alloys;

Ga对铸态Mg-x%Al-2%Ga镁合金显微组织和力学性能的影响

Preliminary Feasibility Study of Extracting Ga、Nb、Li and Sc from Bauxite Ore;

从铝土矿中提取Ga、Nb、Li、Sc的可行性初步研究

Effects of Ga on electrochemical properties of Al-Zn-In sacrificial anodes;

Ga对Al-Zn-In合金牺牲阳极电化学性能影响

4) Ga-In-As

Ga-In-As

THERMODYNAMICS OF Ga-In-As SYSTEM UNDER LATTICE DEFORMATION;

晶格形变情况下Ga－In－As体系热力学研究

5) GaAs

Ga As

Interference of Electron in GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Structure;

Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉

6) genetic algorithm & fuzzy C-means

GA-FCM

参考词条

Pt-Ga ~（67）Ga GA-BP 富In（Ga） e-GA FP-GA 掺Ga Ga-ZSM-5 ~（71）Ga L-GA （67）~Ga GA-Simplex ~（68）Ga Ca2+-GA Ga（In）NAs 线目标

补充资料：Ga

镓

元素中文名:镓原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31

元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3

元素符号： ga 英文名： gallium 中文名：镓

相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8

外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3

同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]

电子亲合和能： 48 kj·mol-1

第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1

单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃

原子半径： 1.81 埃离子半径： 0.62(+3) 埃共价半径： 1.26 埃

常见化合物： gao ga2o ga2o3

发现人：布瓦博德朗时间： 1875 地点：法国

名称由来：

拉丁文：gallia（法国）。

元素描述：

柔软的蓝白色金属。

元素来源：

见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。

元素用途：

用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

首页 \| 翻译 \| 影视 \| 论坛 \| 索引 Ga-Sb ZnO:Ga M=Ga GA法 Ga/HZSM-5

1) GAMP GAMP 2) Gallium Ga 1. Density and Viscosity of Gallium Melt and Its Microstructure; 液态Ga的密度和黏度及其微观结构 2. Gallium bearing ferrites with different gallium content were synthesized by oxidation of ferrous and gallium ions under alkaline condition and room temperature. 采用氧化-沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量。 3. The adsorption behavior of nanometer TiO_2 towards Gallium (Ga) Indium (In) and Thallium (Tl) was investigated with inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES). 研究了纳米TiO2材料对Ga,In,Tl的吸附性能,考察了吸附动力学、最佳酸度、富集倍数和吸附容量,确定了待测金属离子的最佳吸附条件。 3) Ga Ga 1. Influences of Gallium on Microstructure and Mechanical Properties of Mg-x%Al-2%Ga Alloys; Ga对铸态Mg-x%Al-2%Ga镁合金显微组织和力学性能的影响 2. Preliminary Feasibility Study of Extracting Ga、Nb、Li and Sc from Bauxite Ore; 从铝土矿中提取Ga、Nb、Li、Sc的可行性初步研究 3. Effects of Ga on electrochemical properties of Al-Zn-In sacrificial anodes; Ga对Al-Zn-In合金牺牲阳极电化学性能影响 4) Ga-In-As Ga-In-As 1. THERMODYNAMICS OF Ga-In-As SYSTEM UNDER LATTICE DEFORMATION; 晶格形变情况下Ga－In－As体系热力学研究 5) GaAs Ga As 1. Interference of Electron in GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Structure; Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉 6) genetic algorithm & fuzzy C-means GA-FCM 参考词条 Pt-Ga ~（67）Ga GA-BP 富In（Ga） e-GA FP-GA 掺Ga Ga-ZSM-5 ~（71）Ga L-GA （67）~Ga GA-Simplex ~（68）Ga Ca2+-GA Ga（In）NAs 线目标补充资料：Ga 镓元素中文名:镓原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31 元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3 元素符号： ga 英文名： gallium 中文名：镓相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8 外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3 同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] ga-69 ga-71 ga-72[14.1h] 电子亲合和能： 48 kj·mol-1 第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1 单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃ 原子半径： 1.81 埃离子半径： 0.62(+3) 埃共价半径： 1.26 埃常见化合物： gao ga2o ga2o3 发现人：布瓦博德朗时间： 1875 地点：法国名称由来：拉丁文：gallia（法国）。元素描述：柔软的蓝白色金属。元素来源：见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。元素用途：用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。说明：*补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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