1) silicon oxide-aluminum nitride-boron nitride composites
氧化硅-氮化铝-氮化硼复合材料
2) silicon carbide/aluminum nitride composite
碳化硅/氮化铝复合材料
3) titanium nitride/alumina composite
氮化钛/氧化铝复合材料
4) silicon nitride composite
氮化硅复合材料
1.
Preparation of a kind of particle reinforce silicon nitride composite (Si_3N__(4p)/Si_3N_4 by chemical vapor infiltration (CVI) method was researched in this paper.
本文探索采用化学气相渗透法制备一种颗粒强韧氮化硅复合材料(Si_3N_(4p)/Si_3N_4),研究了颗粒预制体制备工艺和化学气相渗透工艺,并对氮化硅复合材料进行了性能测试与表征。
5) silicon nitride whisker reinforced alumina ceramic composite
氮化硅晶须补强氮化铝陶瓷复合材料
6) silicon nitride/silicon carbide composites
氮化硅/碳化硅复合材料
补充资料：结晶氮化硅膜
分子式：Si3N4
CAS号：
性质： 一种晶体结构的绝缘膜。属六角晶系。禁带宽度3.9～4.0eV。密度3.4g/cm3。介电常数9.4。折射率2.10。电阻率1018Ω·m。腐蚀速率小于0.01nm/min。采用直接氯化、溅射、低压化学气相沉积等方法制取。对碱金属原子有强的阻挡力。用作半导体器件钝化膜。
CAS号：
性质： 一种晶体结构的绝缘膜。属六角晶系。禁带宽度3.9～4.0eV。密度3.4g/cm3。介电常数9.4。折射率2.10。电阻率1018Ω·m。腐蚀速率小于0.01nm/min。采用直接氯化、溅射、低压化学气相沉积等方法制取。对碱金属原子有强的阻挡力。用作半导体器件钝化膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条