2) vanadium ion(Ⅳ)
钒离子(Ⅳ)
4) V~(4+) ions
四价钒离子
5) vanadium ion implantation
钒离子注入
1.
Semi-insulating layers are formed by vanadium ion implantation in p-and n-type 4H-SiC.
对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。
6) vanadium ion doping
钒离子掺杂
补充资料：硫酸钒酰、硫酸钒
分子式：VOSO4·XH2O
分子量：163.0 (以无水物计)
CAS号：暂无
性质：本品为兰色结晶，含有结晶水，可多达50%，易溶于水.医药保健品。
制备方法：暂无
用途：暂无
分子量：163.0 (以无水物计)
CAS号：暂无
性质：本品为兰色结晶，含有结晶水，可多达50%，易溶于水.医药保健品。
制备方法：暂无
用途：暂无
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条