1) AES
俄歇
1.
Application of Factor Analysis to AES Studiesof Uranium Oxidation by CO and O_2;
因子分析技术在铀与CO,O_2反应俄歇分析中的运用
2) Auger phenomenon
俄歇现象
3) Auger lineshape
俄歇线形
1.
In order to measure the local density of states on each depth profile of the GaAs/Si interface by AES, the Auger lineshape is carefully processed and the Auger lineshape analysis is performed with the help of factor analysis.
采集GaAs／Si界面的各个深度剖面的俄歇线形（Augerlineshape），试图获得局域态密度变化的信息。
4) Auger peaks of cerium
铈俄歇峰
5) Auger parameter
俄歇参数
1.
The Auger parameter can be measured more accurately.
从ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５的俄歇峰可获得中心离子Ｃｅ的电子云密度等信息，发现其俄歇参数与配位体的极化变形程度有关，从而解释了双烯烃定向聚合必须有稀土卤氧键存在的原因。
2.
The suboxides SiO_x on the SiO_2/Si interface were studied by the Auger parameter method.
本文报道了俄歇参数法用于SiO_2/Si界面层硅过渡态的研究。
补充资料：俄歇产额
分子式：
CAS号：
性质：俄歇电子数与同一时间内产生的轨道电子空穴数之比，等于1-ω，其中ω为荧光产额。如果不存在俄歇效应，则荧光产额ω始终为1。
CAS号：
性质：俄歇电子数与同一时间内产生的轨道电子空穴数之比，等于1-ω，其中ω为荧光产额。如果不存在俄歇效应，则荧光产额ω始终为1。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条