1) Ta_2O_5 dielectric films
Ta_2O_5介质膜
2) Ta_2O_5/Si thin film
Ta_2O_5/Si薄膜
3) Ta_2O_5 thin film
Ta_2O_5薄膜
1.
In this dissertation, Ta_2O_5 thin film was deposited by DC reactive magnet sputtering and ann.
Ta_2O_5薄膜具有较高的介电常数，低的漏电流密度，高的击穿强度，和传统工艺兼容性好等优良特性。
4) thick-film dielectric
厚膜介质
1.
The CaO-Al_2O_3-SiO_2 ceramic-glass was used for thick-film dielectric.
以CaO-Al_2O_3-SiO_2(CAS)系微晶玻璃作为厚膜介质,研究CAS系微晶玻璃中形核剂的选择,以及形核剂对CAS玻璃的软化温度与析晶温度的影响规律,使其烧成温度与析晶温度满足厚膜电路850℃标准烧成工艺的要求;并简单分析形核剂的作用机理。
5) filming medium
成膜介质
1.
Effect of filming medium and reducing agents on the properties of soy p rotein isolate film (SPI) was studied.
研究了成膜介质和还原剂对大豆分离蛋白膜(SPI)性能的影响。
6) Dielectric film
介质薄膜
1.
In this paper, a theoretical model of long-pulse laser leading to thermal stress damageof dielectric film in film/substrate systems is developed.
本文用有限元法研究并建立了长脉冲激光对介质薄膜热应力损伤的理论模型，在该模型的基础上模拟了介质薄膜和基底中的温度场和热应力场瞬态分布，分析了长脉冲激光对介质薄膜的热应力损伤的机理。
2.
The damage mechanisms and characteristics of dielectric films under the irradiation of the long pulse laser are studied in this paper.
本文从理论和实验方面研究了长脉冲激光对介质薄膜的损伤机理和特性,并对波长为1064nm的长脉冲激光产生的损伤阈值进行了测试研究。
补充资料：电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一
分子式：
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条