1)  Eu 3+ :Y 2SiO 5
Eu~（3+）:Y_2SiO_5晶体
2)  Eu(Ⅲ)
Eu（Ⅲ）
1.
Study on the Sorption of Am(Ⅲ) and Eu(Ⅲ) onto TiO_2 and Al_2O_3;
Am（Ⅲ）和Eu（Ⅲ）在氧化钛及氧化铝上吸附行为研究
3)  Eu
Eu
1.
Syntheses and Spectra Properties of SrO·xAl_2O_3:Eu System;
SrO·xAl_2O_3:Eu体系的合成与光谱性质
2.
Effect of pH on the Adsorption of Eu(Ⅲ) onto Al_2O_3;
pH对Eu(Ⅲ)在氧化铝上吸附行为的影响
3.
Study of Photostimulated-luminescence and Electron Trapping Mechanism of (Ca,Sr)S:Eu,Sm;
(Ca,Sr)S:Eu,Sm的光激励发光和电子俘获机理的研究
4)  EUⅢ
EUⅢ
5)  Eu~(3+)/Eu~(2+)
Eu~（3+）/Eu~（2+）
6)  Eu~(3+)
Eu~（3+）
1.
Synthesis and Photoluminescence of BaCeO_3:Eu~(3+) and SnO_2:Eu~(3+) Oxide Phosphors;
稀土掺杂氧化物发光材料BaCeO_3：Eu~（3+）和SnO_2：Eu~（3+）的合成与发光性能研究
2.
Solid-State Synthesis and Luminescent Properties of Eu~(3+)-Doped Tungstates and Molybdates Red Phosphors;
掺杂Eu~（3+）钨/钼酸盐红色荧光粉的固相合成及发光特性
参考词条
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。
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