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1)  dislocation pinning mechanism
位错钉扎机制
2)  dislocation locking
位错钉扎
3)  anchoring of dislocation
位错的钉扎
4)  interaction between impurities and dislocation
杂质对位错的钉扎作用
5)  K-G-L model
K-G-L位错钉扎模型
6)  pinning mechanism
磁通钉扎机制
补充资料:钉扎机制(pinningmechanism)
钉扎机制(pinningmechanism)

提出这种机制的有:⑴弹性能钉扎。在超导(S)-正常(N)相变中,压缩和弹性系数等有突变。涡旋线管中有N区,它与S区的弹性系数有差异,弹性能也不等,引起有弹性引力场。硬超导体内的缺陷等处也是引起弹性畸变之处,和磁通线发生相互作用。这些因素能引发产生钉扎作用;⑵镜像力钉扎。一个涡旋线接近S-N边界面时可受到界面吸引作用,这等价地看做界面对方如镜子后面有相反方向涡旋电流起吸引作用一样,称镜像力。所以涡旋线在界面附近受到钉扎作用称“镜像力”钉扎;⑶凝聚能钉扎。硬超导体基体背景和其中的一个个缺陷区域有差别,不同类型缺陷间也有差别,引起磁通线所在位置区的凝聚能也有差别,其差异一般用两处涡旋线临界磁场差异所显示的能量差μ0(Hc2-H'c2)/2来表示钉扎的凝聚能。由此可计算出钉扎力与磁感应B成正比。尚有其他机制提出,如高K(GL参量)机制。以上机制或二种机制并存等可定性或定量地与实验结果比较。

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