1) charge storage
电荷贮存
1.
Surface potential is characterized as a parameter to evalue charge storage capacity, and half value temperature ( T 1/2 ) of thermal stimulated charge decay(TSCD) is an indicator of charge storage stability.
表面电位被用作表征电荷贮存容量的参数，而热刺激电荷衰减（ＴＳＣＤ）的半值温度（Ｔ１／２）则是衡量电荷贮存稳定性的标志。
2) stored charge
存贮电荷
1.
The simulation results indicate that the SiGe/Si heterojunction switching power diodes have low forward voltage drop,low stored charge and the performance is much better than the similar.
结果表明 ,该功率二极管具有低的正向压降 ,较少的存贮电荷 ,其性能远远超过Si的同类型结构 。
3) charge storage tube
电荷存贮管
4) charge storage lifetime
电荷贮存寿命
1.
The comparison of the charge storage lifetime was studied among the porous PTFE and those typical electret materials that are Teflon PTFE, Teflon FEP, Aclar PCTFE and Kapton PI f.
并与在同等实验条件下的高密度 PTFE、FEP、Aclar PCTFE和 Kapton PI这 4种典型驻极体材料的电荷贮存寿命进行了对比研究。
5) Diode of stockpile charge
电荷贮存二极管
6) charge accumulator
电荷存贮器，电荷积聚器
补充资料：半可贮存推进剂
分子式：
CAS号：
性质：在200～294K温度下可满足贮存要求的推进剂，即20℃时蒸气压不大于2MPa，50℃下贮存年分解率<1%。例如过氯酰氟、四氟化肼等。
CAS号：
性质：在200～294K温度下可满足贮存要求的推进剂，即20℃时蒸气压不大于2MPa，50℃下贮存年分解率<1%。例如过氯酰氟、四氟化肼等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条