1) Metallicimpurity contaminant
金属杂质沾污
2) impurity contamination
杂质沾污
3) metal contamination
金属沾污
1.
The maximum metal surface concentration is controlled at about 10 12 cm -2 level in order to simulate metal contamination during ultra clean processing.
采用可控的金属沾污程序 ,最大金属表面浓度控制在 10 1 2 cm- 2数量级 ,来模拟清洗工艺最大可能金属沾污表面浓度 。
2.
The Surface Photovoltage (SPV) method, which can be used to detect the minority carrier diffusion length,lifetime, and heavy metal contamination level accurately, is an effective technique of high sensibility and no destruction to monitor the characteristics of the wafer in line and is also an effective method to exam the quality of devices in IC manufacturing.
能精确测量硅片的少子扩散长度、少子寿命、重金属沾污浓度等参数。
4) H2 impurity
氢杂质，氢沾污
5) metal contaminated sediment
金属沾污沉积物
6) intermixture and contamination
混杂沾污
补充资料：地面沾污
分子式：
CAS号：
性质：在核工业的生产、实验、同位素应用以及核爆炸过程中，由于操作的疏忽以及与放射性物质直接接触等原因，造成工作场所地面或周围环境地面被放射性物质沾污的现象。地面沾污的程度取决于地面材料的性质和沾污情况。
CAS号：
性质：在核工业的生产、实验、同位素应用以及核爆炸过程中，由于操作的疏忽以及与放射性物质直接接触等原因，造成工作场所地面或周围环境地面被放射性物质沾污的现象。地面沾污的程度取决于地面材料的性质和沾污情况。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条