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1)  Auger electron spectrometry
俄歇电子谱法
2)  Auger electron spectroscopy(AES)
俄歇电子能谱法
3)  Auger electron spectroscopy
俄歇电子谱
4)  AES
俄歇电子谱
1.
XPS and AES Investigation of GaN Films Grown by MBE;
MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析(英文)
2.
It is well known that low energy ion sputtering plaps an important role in quantification of surface composition by AES and XPS,such as to clean surface contamination and obtain depth profiles by low energy ion beam sputtering,ect.
由于离子溅射改变了固体表面化学成分,引起表面成分的再分布,使俄歇电子谱、X射线光电子谱以及二次离子质谱等表面分析手段,对溅射后固体表面成分的定量分析结果与实际结果有较大的差别。
5)  Auger transition probability
俄歇电子能谱测定法
6)  Auger electron spectroscopy (AES)
俄歇电子能谱
1.
In this study, the Auger Electron Spectroscopy (AES) was used to study the adsorption process and initial stage of oxidation reactions on clean surface of pure iron,uranium and surface of their C~+ ion-implanted samples.
本文利用俄歇电子能谱(AES)研究了清洁纯铁、离子注入碳纯铁、清洁铀以及离子注入碳铀表面与氧气吸附及初始氧化的过程。
补充资料:俄歇电子
分子式:
CAS号:

性质:由俄歇效应发射的电子

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