1) Single crystal α-SiC
单晶α-SiC
3) SiC single crystal
SiC单晶
1.
Observation of tiny polytypes in SiC single crystal by synchrotron radiation white beam X-ray topography;
同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构
2.
Temperature field of SiC single crystal growth furnace is studied using finite element analysis,and numerical simulation software is used to simulate temperature distribution of SiC single crystal growth furnace.
采用有限元分析方法对物理气相传输法SiC单晶生长炉内温度场进行研究,采用有限元模拟软件对生长炉内温度分布进行模拟,得到了炉内温度的分布结果。
3.
Micro-Raman spectroscopy has been applied to identify polytypes in SiC single crystal grown by the seeded sublimation technique.
利用激光拉曼光谱仪测量了SiC单晶中不同多型的显微Raman光谱。
4) Slice of SiC monocrystal
SiC单晶片
6) Single crystal α-SiO_2
单晶α-SiO_2
补充资料：silicon carbide platelet reinforcement α-SiC
分子式：
CAS号：
性质：片状的SiC单晶体，商品化的碳化硅晶板一般都是2-SiC。其制备方法有二氧化硅的碳还原法和β-SiC粉末的升华-结晶法两种，碳化硅晶板可用作为多种复合材料的增强体。如碳化硅晶板补强氧化铝陶瓷，其断裂韧性可达7.9MPa·m1/2，碳化硅晶板补强氮化硅陶瓷，断裂韧性可达14.3MPa·m1/2，碳化硅晶板加入到6061铝合金中，可以大大提高材料的拉伸强度和弹性模量，碳化硅晶板增强羟基磷灰石基复合材料，是制备人造骨的优良材料。在陶瓷基复合材料中，碳化硅晶板的增韧机理为裂纹偏转和晶板拔出，晶板的尺寸愈小，宽厚比愈大，其增韧效果愈好。
CAS号：
性质：片状的SiC单晶体，商品化的碳化硅晶板一般都是2-SiC。其制备方法有二氧化硅的碳还原法和β-SiC粉末的升华-结晶法两种，碳化硅晶板可用作为多种复合材料的增强体。如碳化硅晶板补强氧化铝陶瓷，其断裂韧性可达7.9MPa·m1/2，碳化硅晶板补强氮化硅陶瓷，断裂韧性可达14.3MPa·m1/2，碳化硅晶板加入到6061铝合金中，可以大大提高材料的拉伸强度和弹性模量，碳化硅晶板增强羟基磷灰石基复合材料，是制备人造骨的优良材料。在陶瓷基复合材料中，碳化硅晶板的增韧机理为裂纹偏转和晶板拔出，晶板的尺寸愈小，宽厚比愈大，其增韧效果愈好。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条