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1)  Gas Corrosion
气体腐蚀
2)  etchant gas
腐蚀气体
3)  gas etchant
气体腐蚀剂
4)  corrosive gas
腐蚀性气体
5)  gas attack
烟气侵蚀,气体腐蚀
6)  sour gas corrosion
酸性气体腐蚀
补充资料:高温气体腐蚀


高温气体腐蚀
high temperature gas corrosion

  高温气体腐蚀high temperature gas corrosion金属材料与高温气体发生化学反应所引起的一种高温腐蚀。高温下可与金属产生反应的气体很多,如气体元素(02,NZ,C12,BrZ等)、空气、蒸气、气体化合物(502,COI,COZ,NZO,NOZ等)、化学化合物(HCI,FCI,HZS,NH3等)、燃烧气氛等。 高温气体腐蚀的主要形式有高温氧化、高温硫化和高温混合气体腐蚀。 高温氧化狭义的高温氧化指金属和环境中的氧(含氧化性气体,如HZO,502,COZ等)化合而生成金属的氧化物,即M十和2一Monr广义的指金属失去电子而使正原子价升高的过程,同时,氧原子获得电子成为氧离子”0十2”e-一nJ一,而MZ”十+”0“-一MOn。实际上能获取电子的并不一定都是氧,也可以是硫(硫化)、氮(氮化)、卤族元素(如氯化)或其他可以接受电子的原子或原子团。 任何一种金属材料都可能与氧发生反应。金属能否氧化,取决于热力学条件;其反应的速度则取决于动力学条件及反应生成的氧化膜的性质。氧化初始,氧被吸附于金属表面并可能反应形成氧化物膜,且迅速覆盖金属表面。此后,金属的氧化将通过氧向内扩散或金属离子向外扩散而进行。因此,氧化物膜的性质在某种程度上决定了金属的氧化过程。 绝大多数金属氧化物是非化学计量的化合物,有许多是金属离子不足的(晶格中有阳离子空位,如Cu20,Nio),属P型半导体;也有一些是金属离子过剩的(晶格中有间隙金属离子,如ZnO),属N型半导体。氧化物的晶格中存在缺陷有利于金属和氧通过膜进行扩散,促进氧化的进行。通常当环境中氧分压增高时,P型半导体膜的电导率和氧化速度增加,而N型半导体膜的电导率和氧化速度减小。 金属氧化时,多数金属在其表面上生成的氧化物的熔点较高,因此一般是固态,在一定程度上能阻滞金属与环境的物质迁移,具有一定的保护性。但也有一些金属的氧化物的熔点较低,如VZOS,其熔点为674℃;还有些金属的氧化物易挥发,如MOO3在450℃以上即开始挥发。以上两种情况下生成的氧化物膜无保护性。氧化物膜的保护性取决于膜的完整性与致密性,也与氧化物的热稳定性、氧化物膜的结构及厚度、膜与金属的相对热膨胀系数以及膜中的应力等因素有关。 高温硫化高温硫化的机理与氧化类同。硫化是一种比高温氧化更严重的高温气体腐蚀。硫化物膜的缺陷浓度高,膜疏松,强度低,容易开裂和剥落,难以形成连续的保护膜。金属硫化物一金属的共晶点低,甚至低于基体金属。当气氛中含有502、503、‘HZS以及卤族元素时(如NaCI),由于它们沉积在金属表面上,产生腐蚀时,可能引起灾难性事故。
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参考词条