1) diffuse band
扩散带
1.
This paper firstly reports the experimental results of the diffuse band generated by hybrid resonance in the sodium vapour.
本文首次报导了由ＹＡＧ泵浦染料激光激励钠蒸气产生钠分子扩散带的混合共振激发机制。
2.
The diffuse band emission of K 2 2 3? g-x 3? + u transition was experimentally studied with single photon excitation by a dye laser.
报道了用单光子激发产生Ｋ２２３ｇ－ｘ３∑＋ｕ跃迁扩散带的实验结果，讨论了此扩散带发射增益特性随温度和缓冲气体压力等条件的变化规律。
3.
The diffuse band originated from K 2 2 1? + ux 1? + g transition was theoretically calculated and compared with the results of Luh′s, Milosevic′s and Gondal′s experiments.
理论计算了钾双原子分子２１∑＋ｕ─ｘ１∑＋ｇ跃迁所得到的扩散带荧光谱，并与Ｇｏｎｄａｌ等［４］和Ｌｕｈ等［５］以及Ｍｉｌｏｓｅｖｉｃ等［６］的实验结果进行了比较。
2) Stimulated diffuse band
受激扩散带
3) diffuse band radiation
扩散带辐射
1.
The stimulated diffuse band radiation of molecular potassium generated by the energy-polling effect is reported.
报道了在钾蒸气中由能量积聚效应产生的分子扩散带辐射。
5) perturbed by diffusion
带扩散扰动
1.
Threshold dividend strategy on the compound Poisson model perturbed by diffusion
带扩散扰动的复合泊松模型上的按比例分红策略
6) Garnet diffusion zoning
石榴石扩散环带
补充资料：扩散法铌三锡带材
扩散法铌三锡带材
diffusion少oeessed Nb3SntaPe
扩散法妮三锡带材dsffuss。n少oeessed Nb3sntape将锐带表面覆锡后进行加热扩散反应，从而在视基体表面生成锐三锡超导薄层，再外覆铜层而得到的锭三锡(Nb3Sn)超导带材。 自1965年M.G.本兹等人首创用扩散法制妮三锡带材的工艺以来，该法经历过不断的发展与改进。最初是妮带在纯锡熔池中浸渍后进行加热扩散反应，这样生成的妮三锡层凹凸不平，其中存在低临界温度超导相—NbsnZ、Nb6Sns等。后来，把泥带连续通过涂锡区后，接着经过反应区，两区间的温度皆为950一100OC，这就能连续生产视三锡超导带材，其Nb3异飞层也较均匀平整。进一步的改进是发展了低温成卷工艺，特别是在700℃低温下进行扩散反应的方法。它是向熔融锡池中加入40wt%的铜，使Nb3Sn的生成速率和单相百分率提高，从而使单一的Nb3Sn超导相带材的性能得以提高。中国则用成盘涂锡的锭带进行低温700OC扩散热处理的独特技术，大大提高了生产率。这种盘带用FeC14腐蚀后，可分开复绕成卷，便于应用。 扩散反应生成的扼三锡超导带材，长度可达千米以上。随后进行覆铜，其办法有两种。①钎焊法:将厚度为0.1一0.3mm的无氧铜钎焊在未与侥反应的残存的锡表面上。②电镀法:用通常的电镀法在反应带材表面镀上一层致密的铜层。 用扩散法制得的妮三锡超导带材，其零电阻转变温度T坦为17一18K，临界电流密度美一般为(1一2.6)只105A/emZ(4.2K，IOT)。为了提高扩散法Nb3Sn超导带的关，在妮基体中掺杂微量金属错，使Nb3Sn层的晶粒等轴化，微细的二氧化错粒子起磁通钉扎作用，提高了材料的磁通钉扎力，Jc值可高达4 .5X105A/cm“(4 .2K，10T)或以上。有关扩散法优三锡带材的丈与外场强的关系曲线见图。︵、它。\V︸。工1 1 13 15H(T、 扩散法Nb3Sn超导带材的关一H曲线 扩散法扼三锡超导带材在20世纪60年代后期已能小批量生产，并绕制成中、小型高场超导磁体，场强为IOT(4.2K)。锡线材所取代。但70年代中期以后，已为青铜法视三(唐先德周农)
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