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1)  electron channeling contrast
电子通道衬度技术
2)  SEM ECC technique
扫描电镜电子通道衬度技术
1.
The cyclic saturation dislocation patterns within grains and near grain boundary (GB) were investigated in a copper bicrystal with a perpendicular by SEM ECC technique.
通过对垂直晶界[5913]⊥[579]铜双晶体进行循环变形,借助于扫描电镜电子通道衬度技术研究了组元晶体及晶界附近的循环饱和位错组态,结果表明两个组元晶体的表面滑移程度不同,两个组元晶体中的循环饱和位错组态也明显不同,驻留滑移带只能在组元晶体G1中形成,驻留滑移带能够到达晶界但不能穿过晶界。
3)  electron channeling contrast in scanning electron microscopy
扫描电子显微镜电子通道衬度(SEM-ECC)
4)  communication electronics technology
通信电子技术
5)  Channel technology
通道技术
6)  Phase contrast technology
相位衬度技术
补充资料:衍射衬度电子显微术


衍射衬度电子显微术
ofeleetron mieroseoPydiffraetion Contrast

  衍射衬度电子显微术eleetron microscopydiffraetion eontrast由电子衍射效应在电子显微中产生衬度从而研究晶体微观组织的一种技术。简秘衬显微术。电子与晶体交互作用过程中,由于晶体达处,尤其是缺陷附近区域的晶面方位、晶面间距、经振幅等以及晶体尺寸的差异造成样品下表面各处衍象度的相应分布,构成衍射衬度象,简称衍衬象。衍教子显微术包括衍衬象的获得以及对衍衬象的正确分拓解释,即衍射衬度理论。衍衬显微术是1956年由英剑桥卡文迪什(Cavendish)实验室的P.B.赫什(Hieh)、M.J.惠兰(Whelan)、A.豪威(Howie)等和波尔曼(Bollmann)同时发展的。它的发明是电子显学的一项重大成就,是研究薄晶体内部正常周期遭到坏状态的最有效方法,使晶体中显微组织特别是晶体陷的直接观察成为现实。80年代,利用反射衍射方将此技术扩展到对块状试样的表面研究。 衍衬象的获得在双束条件下,用单束成象。远倾动试样,使其产生透射束和衍射束两支强束,其涂均较弱。然后用物镜光阑只让其中一束通过成象。憧射束通过物镜光阑成象,得到明场衬度象,简称明场(记作BF)(图la)。使晶面(hkl)(倒易矢量为g)衍束通过物镜光阑成象得到暗场象(记作DF),一般指乙长斤J,于h勺口叙J一时日一刁匀踌孟七兄饭兀L卜内小J工一1、眨百一‘刁人工“J数,即为明暗相间的条纹,条纹走向平行于面缺陷与晶体上表面的交线,周期为晶。对于界面两侧晶体取向不同为特点的面缺陷,如晶界、相界、孪晶界等,两晶体一般只有其中之一处于衍射位置,若此类界面不平行于晶体表面,则出现与等厚干涉条纹相似的明暗相间条纹。 线缺陷的衬度:在有位错的晶体中,位错所引起的畸变是连续变化的,‘因而附加相位角是晶柱深度之的连续函数。在弹性各向同性晶体中,若位错平行膜面并沿y轴方向,则布氏矢量为b的位错的位移矢量R为~二~nb环仪馆找=石二尹 乙“b肠r刘L刃位错R=必+褒){i咨熟」ex一去 1一2岁,1 1 .cosZ功1下丁丁不一一,一花一In}Z}十一丁丁不一一一一灭万IC习乙气1一Fj任气1一州少」式中必=tg-、Z一均 X,动为位错距晶体上表面距离,夕为泊松比,r为晶柱距位错线间距,ex、氏分别为沿x、之轴的单位矢量。由上述理论计算距位错核心x处的晶柱的散射,得到由位错引起的强度曲线(图2)。口二0处是位错核心。位错象的强度并不以位错核心呈对称分布。在”>0时,更多的电子束衍射到刀为负值一侧,成象时s越大,出现衍射极大的x值越小,即位错象越接近位错核心。”增大,衍射极大的偏移更明显,当n=3,4时,位错象出现双线。比较不同位错的剖面图,刃位错的宽度大约是螺位错的两倍。
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参考词条