1) Auger lineshape
俄歇线形
1.
In order to measure the local density of states on each depth profile of the GaAs/Si interface by AES, the Auger lineshape is carefully processed and the Auger lineshape analysis is performed with the help of factor analysis.
采集GaAs／Si界面的各个深度剖面的俄歇线形（Augerlineshape），试图获得局域态密度变化的信息。
2) Auger line
俄歇谱线
3) Auger line scan
俄歇线扫描
4) Auger lineshape analysis
俄歇峰形分析
1.
Auger lineshape analysis is employed in the study of chemical and electronic states of GaAs/Si interface.
利用俄歇峰形分析技术对GaAs/Si界面的化学态和电子态进行了研究。
5) Auger lineshape correction
俄歇峰形修正
6) AES
俄歇
1.
Application of Factor Analysis to AES Studiesof Uranium Oxidation by CO and O_2;
因子分析技术在铀与CO,O_2反应俄歇分析中的运用
补充资料：俄歇产额
分子式：
CAS号：
性质：俄歇电子数与同一时间内产生的轨道电子空穴数之比，等于1-ω，其中ω为荧光产额。如果不存在俄歇效应，则荧光产额ω始终为1。
CAS号：
性质：俄歇电子数与同一时间内产生的轨道电子空穴数之比，等于1-ω，其中ω为荧光产额。如果不存在俄歇效应，则荧光产额ω始终为1。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条