1) Ⅴ/Ⅲ ratio
Ⅴ/Ⅲ比
1.
Excessive phosphine is needed to get enough Ⅴ/Ⅲ ratio during common growth process of AlGaInP material by MOCVD in order to get crystal structure with high quality.
分别采用1 000 ml/min和400 ml/min的PH3流量(对应的Ⅴ/Ⅲ比分别为723和289),利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)系统生长了AlGaInP材料,并使用MOCVD在位监测(in-situ)软件、X射线双晶衍射仪以及光荧光测试系统等对样品进行了测量分析。
2.
The influence of Ⅴ/Ⅲ ratio to doping in P—GaP and Red LED
分别在Ⅴ/Ⅲ比为13、26和52的情况下生长GaP材料,结果发现,Ⅴ/Ⅲ比影响Mg的掺杂浓度和载流子迁移率。
2) Ⅲ/Ⅴ ratio
Ⅲ/Ⅴ比
3) Ⅴ/Ⅲ flux ratio
Ⅴ/Ⅲ束流比
1.
On the base of AlGaAs, GaAs fundamental material growth, excellent materials by the substrate temperature and Ⅴ/Ⅲ flux ratio optimization were achieved.
分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。
6) Inorganic arsenic(Ⅲ,Ⅴ)
无机砷(Ⅲ,Ⅴ)
补充资料：并比
1.相比。
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参考词条