1) Open-tube diffusion
开管扩镓
2) open tube gallium diffusion
开管镓掺杂
3) open tube diffusion
开管扩散
4) Ga-diffused time
扩镓时间
1.
Varying the Ga-diffused time and the mitriding time were found to have great ef.
观测结果表明:采用此方法得到的在预沉积扩镓硅基上生长的GaN晶体膜,随着扩镓时间的增加,薄膜的晶化程度得到明显提高,而氮化时间对构成GaN薄膜的颗粒形态影响不大。
2.
Varying the Ga-diffused time and nitriding time was found to have great effect on the crystal quality of GaN films,and the crystal .
用XRD对样品进行了结构分析,测试结果表明:采用此方法得到的预沉积的扩镓硅基生长GaN晶体膜随着扩镓时间和氮化时间的增加,薄膜的晶化程度得到明显提高。
3.
magnetron sputtering and the influence of Ga-diffused times on the GaN films were investigated.
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜,研究硅基扩镓时间对GaN薄膜晶体质量的影响。
5) gallium diffusion
镓扩散
6) Ga-diffused Si(111)substrate
扩镓硅基
补充资料：壁处理开管柱
分子式：
CAS号：
性质：玻璃毛细管内壁表面光滑，表面能很高，许多固定液很难涂渍均匀。为了除去表面活性点，提高表面湿润性，增加表面积，涂渍前对柱内壁进行表面处理。表面处理的主要方法有表面粗糙化、表面去活和化学改性等。
CAS号：
性质：玻璃毛细管内壁表面光滑，表面能很高，许多固定液很难涂渍均匀。为了除去表面活性点，提高表面湿润性，增加表面积，涂渍前对柱内壁进行表面处理。表面处理的主要方法有表面粗糙化、表面去活和化学改性等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条