1) crystal melting
晶体熔化
1.
Mechanism of interaction between crystal growth and crystal melting in CZ method as been expounded in this paper.
晶体熔化时，一个边界层厚的晶体中产生组分过热，晶体抗熔化能力增强，隔离层熔体轮廓线内移，它的稳定性增加，生长和熔化进入平衡状态。
2) float zone crysta
浮区熔化晶体
4) crystalline melting point
晶体熔点
5) Grain Boundary Melting Down
晶界熔化
6) eutectic melting
共晶熔化
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条