1) Nucleation
[英][,nju:kli'eiʃən] [美][,njuklɪ'eʃən]
成核生长
1.
The growth of large area β-SiC film has been realized through adjustment of the number of carbon atoms on the surface for nucleation.
56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。
2) nucleation and growth
成核与生长
1.
Cubic boron nitride (c-BN), a fascinating material with many promising applications, has raised extensive efforts to synthesize thin films of c-BN and to study the nucleation and growth of c-BN since 1930 because of its desirable mechanical, thermal, electrical, and optical properties.
因而c-BN薄膜的成核与生长研究也成为一个倍受关注的研究热点。
3) growth nucleation
生长核形成
4) multiple two dimensional nucleation growth
多二维成核生长
1.
The growth rates of main revealable faces of rubidium hydrogen selenate(RbHSeO 4) crystal in supersaturation aqueous solution were measured by dynamics cycle observation method,and the result of experiment showed that the growth mechanism of these faces was typical multiple two dimensional nucleation growth.
结果表明 ,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制 ,在饱和点为38。
5) nucleation and crystal growth
成核与晶体生长
6) heterogeneous nucleation and growth
非均匀成核-生长
补充资料：成核生长机理
分子式：
CAS号：
性质：理想晶面上金属电结晶过程的理论。此理论认为，在理想平整的晶面上，由于不存在“生长点”，因此，晶体继续生长的前提是在晶面上出现新的晶核。晶核的形成是晶体生长过程的速率控制步骤。在未完成的理想晶面上，晶面的继续生长只能在少数占有最低能量位置的“生长点”或“生长线”上进行。金属离子在晶面上任一位置都可放电并形成“吸附原子”，然后通过扩散转移到“生长线”和“生长点”上。
CAS号：
性质：理想晶面上金属电结晶过程的理论。此理论认为，在理想平整的晶面上，由于不存在“生长点”，因此，晶体继续生长的前提是在晶面上出现新的晶核。晶核的形成是晶体生长过程的速率控制步骤。在未完成的理想晶面上，晶面的继续生长只能在少数占有最低能量位置的“生长点”或“生长线”上进行。金属离子在晶面上任一位置都可放电并形成“吸附原子”，然后通过扩散转移到“生长线”和“生长点”上。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条