1) coupled growth zone
共生生长区
2) coupled growth
共生生长
1.
Morphological stability of coupled growth during directional solidification of eutectic and peritectic alloys;
共晶和包晶合金定向凝固过程中共生生长的形态稳定性
2.
The growth characteristic of peritectic alloy during directional solidification was analyzed theoretically and compared with the growth characteristic described in the classical eutectic coupled growth model(Jackson-Hunt model),and a superheating steady state coupled growth model for peritectic alloy was presented.
对包晶合金定向生长特性进行分析,并与共晶系经典共生生长模型(Jackson-Hunt模型)所描述的共生生长特性进行对比,提出包晶稳态过热共生生长模型,同时以Fe-Ni合金系为对象,对其亚包晶和过包晶成分在不同温度梯度G和生长速度v下进行定向凝固实验及组织分析。
3.
Developments of both theoretical and experimental results of low velocity coupled growth and banded structure of peritectic alloy are reviewed.
综述了包晶合金定向凝固中的低速带状与共生生长组织的实验和理论研究情况及其进展。
3) eutectic growth
共生生长
1.
Then the application of cellular automaton to simulate eutectic growth,dendritic growth and solute separation are described in detail.
首先介绍了CellularAutomaton的原理及发展历程,然后针对共生生长、枝晶生长及溶质脱熔等情况,详细叙述了在凝固过程计算机模拟中所采用的CellularAutomaton的具体算法,并对其进行了评价,最后展望了未来CellularAutomaton的发展方向。
4) eutectic growth
共晶生长
1.
Evolution Mechanism of Al/AILi Eutectic Growth during Unidirectional Solidification;
定向凝固Al/AlLi共晶生长演化机制
2.
The key topics on eutectic solidification are discussed on the basis of coupling effects between solute diffusion, surface tension and heat transfer as well as crystal growth behaviors, including regular eutectic growth, irregular eutectic growth, rapid eutectic growth and interface stability of eutectic growth.
基于溶质扩散、表面张力和热传输的耦合作用以及晶体生长行为 ,论述了共晶凝固研究中的几个热点问题 ,包括规则共晶生长、非规则共晶生长、快速共晶生长和共晶界面稳定
3.
The effect of thermosolutal convection on eutectic growth was studied during vertically upward directional solidification of binary hypoeuectic Al-Li alloys.
研究了亚共晶二元 Ａｌ－Ｌｉ合金垂直向上定向凝固期间热溶质对流对共晶生长的影响。
5) Coherent growth
共格生长
1.
The coherent growth and mechanical properties of non-isostructural TiN/TiB_2 nanomultilayers;
TiN/TiB_2异结构纳米多层膜的共格生长与力学性能
6) syntaxial overgrowth
共轴生长
补充资料：生长区
生长区
Zr0Wth SeCtorS
「1 11口。/[10〕饰/生长速率恒定，即各晶面的生长速率的比值为恒值。生长区的出现和形态，决定于晶体生长速率的各向异性，服从快面隐没、慢面显露的晶面淘汰律。四次对称二维晶体生长区中(见图)，当{10}面的生长速率v。与{川面的生长速率v，的比值满足招/2<业<招时， V{10}和{11}面在界面上同时存在，在生长过程中按比例扩大，它们形成生长区(图a)。当业 Vl、乎，则“‘，面将消失(图b)，晶体稳态生长只出现{10}形成的生。。、犷些l叼二维晶体生长区示意图平坦的小晶面。在此情况下，生长区和非小面生长区。 长区。图“表示当登 )招时，{10}面将消 失，最后只形成{11}面 的生长区。对于三维晶 体，自由生长系统中的 生长区为锥体，故有时 将生长区称为生长锥。 在熔体生长中，有时在 弯曲的生长界面上出现长成的晶体中可分为小面 (洪静芬)生长区growth SectorS同一个晶面在生长过程中形成的空间区域。晶体生长过程是组成生长界面的各晶面沿各自的法线方向向母相推移的过程。各晶面推移所经历的三维空间，就是各晶面形成的生长区。 在生长驱动力相等的自由生长系统中，任一晶面的
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参考词条