1) polar crystal slab
极性晶体膜
1.
The ground state energy of the system,which is the electron interaction with both the weak coupling bulk longitudinal optical phonons and the strong coupling surface optical phonons in a polar crystal slab within magnetic fields,are studied by means of the linear combination operator and variational method.
本文采用线性组合算符法和变分法，研究了磁场中极性晶体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的基态能量，得到了磁极化子自陷能随膜厚和磁场强度变化的规律，计算了不同支声子与电子相互作用对磁极化子自陷能的贡献以及随磁场的变化。
2.
Some properties of the polaron in polar crystal slab are investigated by using Green s function method.
使用格林函数法研究在极性晶体膜中极化子自能的一些性质。
2) polar crystal
极性晶体
1.
The crystal Habits and Formation Mechanism of Polar crystal;
极性晶体结晶习性的形成机理
2.
There is weak coupling between the electron and SA phonon but strong coupling between the electron and SO phonon for many polar crystals .
有些极性晶体 ,电子与表面光学声子 (SO)耦合强 ,与表面声学声子 (SA)耦合弱。
3) nonpolar crystals
非极性晶体
4) nonpolar crystal
无极性晶体
5) Flexible and am-bipolar thin film transistors
柔性及双极型薄膜晶体管
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条