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1)  Cylindrical sources
圆柱体源
2)  hollow-cylinder source
空心圆柱体源
3)  cylinder [英]['sɪlɪndə(r)]  [美]['sɪlɪndɚ]
柱;圆柱体
4)  cylinder [英]['sɪlɪndə(r)]  [美]['sɪlɪndɚ]
圆柱体
1.
Compare and Analyse of Unit Deforming Force and Boundary Conditions in Model Element of Cylinder Upsetting;
圆柱体镦粗模型单元单位变形力及边界条件的比较分析
2.
Analysis for Temperature field of upset cylinder in quenching process by FEM;
热镦圆柱体淬火过程温度场的有限元解析
3.
Study on Evaluation of Cylinder Geometric Parameters in Reverse Engineering;
逆向工程中圆柱体几何特征参数评估方法的研究
5)  cylinder [英]['sɪlɪndə(r)]  [美]['sɪlɪndɚ]
圆柱壳体
1.
Research of non-resin winding cylinder preforming retracing cosine curve;
干纱缠绕圆柱壳体端部余弦折回曲线研究
2.
On the base of the research of the non-resin winding cylinder preforming technique,particular arithmetic used to develop the computer software was indicated.
本文述叙了三维图形标准OpenGL模拟系统的基本原理,结合干纱缠绕圆柱壳体预成型技术的研究,论述了开发此计算机软件的具体算法。
3.
In this dissertation, the technology of cylinder non-resin winding preforming was put forward and studied comprehensively and systematically.
本文提出了适于快捷生产、低成本加工、厚壁圆柱壳体制件成型的“干纱缠绕圆柱壳体预成型技术”,并对这一工艺进行了较为全面和系统的分析研究。
6)  cylindrical body
圆柱体
1.
The nonlocal friction law proposed by oden et al is adopted in order to consider the nonlocal friction effect of the asperities on the stress distribution about superplastic wire extrusion of cylindrical body through a cone-shaped die.
为了考虑金属材料表面微凸结构对模具与工件接触区域上的非局部摩擦效应,在锥形模圆柱体超塑性挤压加工分析中,采用Oden等提出的非局部摩擦定律代替经典的库仑摩擦定律,利用主应力法或工程法建立了相应问题的积微分形式的力平衡方程。
补充资料:横向磁场中的空心超导圆柱体(hollowsuperconductingcylinderinatransversalmagneticfield)
横向磁场中的空心超导圆柱体(hollowsuperconductingcylinderinatransversalmagneticfield)

垂直于柱轴(横向)磁场H0中的空心超导长圆柱体就其磁性质讲是单连通超导体。徐龙道和Zharkov由GL理论给出中空部分的磁场强度H1和样品单位长度磁矩M的完整解式,而在`\zeta_1\gt\gt1`和$\Delta\gt\gt1$条件下为:

$H_1=\frac{4H_0}{\zeta_1}sqrt{\frac{\zeta_2}{\zeta_1}}e^{-Delta}$

$M=-\frac{H_0}{2}r_2^2(1-\frac{2}{\zeta_2})$

这里r1和r2分别为空心柱体的内、外半径,d=r2-r1为柱壁厚度,ζ=r/δ(r1≤r≤r2),Δ=d/δ,δ=δ0/ψ,δ0为大样品弱磁场穿透深度,ψ是有序参量。显然此时H1→0,M→-H0r22/2,样品可用作磁屏蔽体。当$\zeta_1\gt\gt1$,$\Delta\lt\lt1$时,则

H1=H0/(1 ζ1Δ/2),
M=-H0r23[1-(1 ζ1Δ/2)-1]。

若$\zeta_1\Delta\gt\gt1$,则$H_1\lt\ltH_0$或H1≈0。所以,虽然$d\lt\lt\delta$,但磁场几乎为薄壁所屏蔽而难于透入空心,称ζ1Δ/2为横向磁场中空心长圆柱体的屏蔽因子。当$\zeta_1\Delta\lt\lt1$时,则H1≈H0,磁场穿透薄壁而均进入空腔,失去屏蔽作用,此时M≈0。类似于实心小样品,由GL理论可求出薄壁样品的临界磁场HK1,HK,HK2和临界尺寸等。

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参考词条