1) channel current
沟道电流
1.
The influence of different data collection time of channel current on the side gating hysteresis effect is studied by changing the delay time of semiconductor characteristic testing set.
采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 。
2) combined sewer
合流沟道
3) channel runoff
沟道产流
1.
It is the key issue that vegetation influence channel runoff in repairing the water and soil erosion in the serious degraded areas.
研究了嘉陵江上游低山暴雨区不同植被恢复阶段小流域沟道产流变化,结果表明:植被恢复可有效提高沟道产流的临界雨量,降低产流次数;径流开始时间和径流终止时间均有一定程度的延长,最大径流量滞后时间则不明显,产流总量明显减少;坡面径流次数、径流模数及单位面积最大次径流量均低于沟道径流。
4) channel potential
沟道电势
1.
Based on the physical analysis,the temperature dependences of channel potential,threshold voltage and subthreshold current for 6H-and 4H-SiC MESFET s are investigated.
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性。
5) Electrical field channel
电场沟道
6) channel leakage
沟道漏电
补充资料：标准冲击电流波形(见冲击电流发生器)
标准冲击电流波形(见冲击电流发生器)
standard impulse current wave form
blaozhun ehonglld}0n4一u box]ng标准冲击电流波形(standard impulse currentwave form)见冲击电流发生器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条