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1)  Isolated canal
隔离沟
2)  isolation grooves
隔离沟槽
1.
The reasonable size of isolation grooves on the top surface of AlGaInP-LED arrays is analysed.
分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸。
3)  trench isolation
沟槽隔离
1.
The results show that RC-GCT structure with n buffer layer,transparent anode and trench isolation can obtain the better static and dynamic characteri.
通过对门极换流晶闸管(GCT)关键技术的研究,提出了一种沟槽隔离的逆导型GCT结构。
4)  trench isolation
沟道隔离
5)  STI
浅沟道隔离
1.
Advanced materials for STI, Cu CMP, and low-kdielectric were obtained.
现已开发出了用于浅沟道隔离穴STI雪、铜CMP和低k介质的新型材料。
6)  DSTI
浅沟槽隔离
1.
The most applied CMP technology is DSTI CMP and CeO2 slurry is most popularin DSTI ma nufacturing, but the disad vantage of this type slurry is polishing time longerand reduce tool’s available time.
化学机械抛光工艺中应用较为广泛的是浅沟槽隔离层的抛光,新兴的工业生产中多采用二氧化铈研磨浆,但其研磨的工艺时间较长,大大减少了机台的利用率。
补充资料:V型隔离开关


V型隔离开关
V type disconnecting switch

Vx一ng gel一kaiguanV型用离开关(vty咪disconnectingswiteh) 由两个呈V型布t的绝缘支柱组成的膝离开关。其导电活动有结构与双柱水平旋转式隔离开关(见双柱式除离开关)的相同,也是借助于两个支柱的转动来完成隔离开关的开断和闭合操作。由于两个支柱共用一个底座,因此简化了隔离开关的结构和安装支架.其结构示愈如图所示。V型隔离开关结构简单,操作灵巧,属于轻型电气装t,在35~110 kV邢电装1中应用广泛。在220 kV及以上的配电装t中.由于受支柱绝像子强度的限制,难于将两个绝缘支柱布t成V型结构,所以一般不用V型隔离开关。V型隔离开关
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