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1)  airway hyperreactivity/chem ind
气道高反应性/化学诱导
2)  Reactive thymus hyperplasia/chemical inducement
胸腺反应性增生/化学诱导
3)  airway hyperresponsiveness
气道高反应性
1.
Effect of inhaled ketamine on airway hyperresponsiveness in allergic asthma rats;
氯胺酮雾化吸入对哮喘大鼠气道高反应性的影响
2.
Effects of cyclosporin A aerosol on pulmonary fibrosis and airway hyperresponsiveness in rats;
吸入环孢菌素A对肺纤维化及其气道高反应性的干预作用
3.
Rho-kinase and airway hyperresponsiveness in asthma;
Rho激酶与哮喘气道高反应性
4)  Airway hyperreactivity
气道高反应性
1.
Persistent airway hyperreactivity induced by inhaling coxsackie virus B_3 in neonatal rats;
柯萨奇B_3病毒吸入致新生鼠持续气道高反应性的观察
2.
Objective To explore a noninvasive method for measuring airway hyperreactivity in asthma rats.
目的应用呼吸曲线Penh值评估哮喘模型大鼠的气道高反应性,以探讨一种无创性检测哮喘大鼠气道高反应性的方法。
3.
Conclusion Huangqi injection combined with routine treatment can increase the therapeutic effect on acute attack of bronchial asthma,which is related with that Huangqi injection can obviously decrease the airway hyperreactivity in patients with acute bronchial asthma.
结论在常规治疗的基础上联用黄芪注射液治疗支气管哮喘急性发作能明显提高临床疗效,这与黄芪注射液能明显降低患者的气道高反应性有关。
5)  Bronchial hyperresponsiveness
气道高反应性
1.
Genetic analysis of bronchial hyperresponsiveness and serum total IgE of asthma pedigree;
哮喘家系气道高反应性和血清总IgE遗传学分析
2.
Respectively using Qingrunzhike granule,Dexamethasone and Dingchuanzhiketablets to treat the guinea pig models of bronchial hyperresponsiveness which was caused by ovalbumin,we evaluated the effect of above-mentioned medicament by determined the pc20 of guinea pigs.
用清润止咳颗粒、地塞米松和定喘止咳片分别处理卵蛋白制备的气道高反应性模型豚鼠 ,测定脉鼠的pc2 0以评价各种药物的药效。
3.
Objective To explore the value of impulse oscillation system(IOS)in the measurement of bronchial hyperresponsiveness(BHR).
结论IOS与常规肺功能检查方法在气道反应性测定中具有很好的相关性,IOS对气道高反应性疾病如支气管哮喘的诊断有较高的临床应用价值。
6)  photochemistry and photoinduced reaction
光化学与光诱导反应
补充资料:激光诱导化学气相沉积
分子式:
CAS号:

性质: 利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下,气相中的分子发生分解,原子被激活,在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比,可以大大降低衬底的温度,防止衬底中杂质分布截面受到破坏,可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比,可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。本方法所用设备是在常规的化学气相沉积设备基础上添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。用本方法制备的SiO2及Si3N4薄膜时,衬底温度可低至380℃。

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