1) Effect of chemical bonds
化学键效应
3) chemical effect
化学效应
1.
On the base of the summarizing relative researches,the chemical effects of cavitations water jet,pyrogenic effect,oxidated effect and supercritical water oxidation,are investigated,which the local high temperature and pressure is generated as the bubbles in cavitations water jet collapse.
在总结前人研究空化降解成果的基础上,分析空化射流中空泡溃灭时局部高温、高压引发的化学效应:热效应和氧化效应;结合空化效应,初步研究了空化射流对有机污染物的降解。
2.
In analysis on the action of groundwater on landslide,the dynamic effect of water was considered,but its chemical effect was ignored.
以往在分析地下水对滑坡影响过程中 ,一般只考虑水的力学效应 ,而忽略了水质对土体的化学效应 ,但已有的工程实践表明 ,受污染地下水对土质滑坡的变形破坏有重要影响。
3.
he chemical states of surface and interface of three film materiais have been studied using Augerchemical effects.
本文运用俄歇化学效应研究了三种纳米薄膜材料的表面，膜层及界面元素的化学状态。
4) chemical effects
化学效应
1.
On the base of the summarizing the relative researches, the complicated chemical effects of cavitating water jet, direct pyrogenation, free radicel oxidation and supercritical water oxidation, are investigated, which the local and instantaneous high temperature and pressure is generated as the bubbles in cavitating water jets collapse.
在综述超声空化的有关研究成果的基础上,分析空化水射流中的微空泡溃灭时瞬时局部高温、高压产生的特殊的物理环境引发的复杂的化学效应:直接热分解、自由基的氧化和超临界水氧化;划分了空泡溃灭时化学反应区域;分析了空化水射流化学效应的影响因素。
5) Bond-selected chemical reaction
选键化学反应
6) antibonding effect
反键效应
1.
The concepts of antibonding effect and buffering the antibonding effect were illustrated in this paper Some examples of application were give
本文主要阐明了反键效应及反键效应缓冲的概念 ,列举了一些应用的例
补充资料：半导体材料化学键
半导体材料化学键
chemical bond in semiconducter
bondoot一eo一}旧0 huoxueJ旧n半导体材料化学键(chemieal bor、d in SemiCOnduCtor)半导体材料物理基础之一，是晶体邻近两个或多个原子间的强烈的吸引力相互作用的结果。半导体中的化学键主要是共价键。它是由两个原子之间的一对自旋相反的共有电子形成的，具有饱和性和方向性。元素半导体材料中的化学键是纯共价键，化合物半导体材料由于异种原子间存在负电性差，共价键中有某种程度的离子性。在元素半导体材料中共价键导致价电子壳层的S和p轨道形成完全填满的闭壳层。在化合物半导体材料中至少在键合的两原子中有 ·个原子的价电子壳层的S和p轨道形成闭壳层，当原子组成晶体时，原子本身的势场受到周围原子的影响而产生微扰，原子的键合轨道通过线性组合形成杂化轨道。例如，硅在基态的电子排布是ls22s22p63s23p2只有两个可键合的3P轨道。微扰后能量相同的3s轨道与三个3P轨道杂化成电子云分布完全相同的四个新轨道。这样使得硅原子能与最近邻四个硅原子键合。键角均为109“28‘。杂化所得的等价的四个新轨道称为sp3杂化轨道。它们对称地指向正四面体的顶角。在共价结构中，定向的轨道指向最近原子，降低了占据的成键轨道的能量，电子进入杂化状态所付出的能量得到了补偿。大多数半导体结构中，每个原子处在四面体顶角点，形成四面体配位。硅、锗元素半导体材料的金刚石结构，砷化稼、碑化稼等化合物半导体材料的闪锌矿结构，以及出现在离子性较强的半导体材料(例如CdS和ZnO)的纤锌矿结构均是sp“键四面体配位。为完全占据定向的价轨道，每个原子平均需要4个价电子。这意味着可用结构公式ANBs一N描述w族金刚石晶体、l一v族闪锌矿晶体、或者不是闪锌矿就是纤锌矿结构的1一讥和某些卜珊族晶体。式中A和B代表该半导体材料中的两个原子，N是原子A的价电子数。 (余思明)
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参考词条