1) photovoltaic effect
光生伏特效应
1.
An online non-contact fault detection method for LED chip in packaging is presented based on the photovoltaic effect in diode.
本文根据pn结的光生伏特效应,提出了一种针对LED封装半成品的非接触在线检测方法。
2.
The system is based on the photovoltaic effect in diode and controlled by C8051F020 MCU(Micro Controller Unit).
系统采用C8051F020单片机进行控制,利用LED p-n结的光生伏特效应,通过对光生伏特效应中产生的光生短路电流的测量,实现对LED芯片质量及芯片与引线支架电气连接状态的检测。
2) photovoltaic effect of p-n junction
p-n结光生伏特效应
3) photovoltaic effect
光生伏打效应<光>
4) betavoltaic effect
β辐生伏特效应
5) photovoltaic effect
光生伏打效应
1.
The migration of the photocarrier and the formative process of space field induced by photocarrier s drift, diffusion and photovoltaic effect were studied.
探讨了光生载流子在漂移、扩散和光生伏打效应三种机制下输运迁移以及空间电荷场的形成过程。
2.
We have observed, for the first time, a pair and an array of optical vortex solitons due to the photovoltaic effect in crystal LiNbO 3:Fe , and the circle and elliptical waveguides were written by them successfully.
在LiNbO3 ∶Fe晶体中观察到由光生伏打效应实现的涡旋孤子对和涡旋孤子阵列并成功地由它们写入了圆形和椭圆形波导 。
3.
, drift under an applied field and the photovoltaic effect, are added.
在某些情况下加上两个修正,即有外场时的漂移机制和光生伏打效应。
6) photovoltaic effect
光电效应，光生伏打效应
补充资料：光生伏打效应
由光照引起电动势的现象。严格来讲，包括两种类型：一类是发生在均匀半导体材料内部；一类是发生在半导体的界面。虽然它们之间有一定相似的地方，但产生这两个效应的具体机制是不相同的。通常称前一类为丹倍效应，而把光生伏打效应的涵义只局限于后一类情形。
半导体界面包括有:由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面,即PN结；金属和半导体接触的界面；不同半导体材料制成的异质结界面以及由金属－绝缘体－半导体组成的 MIS系统的界面。在这些界面处都存在有一个空间电荷区,其中有很强的电场,称为自建电场。光照产生的电子－空穴对，在自建电场作用下的运动，就是形成光生伏打效应的原因。下面以PN结为例进一步具体说明。
在PN结交界面处N区一侧带正电荷，P区一侧带负电荷，空间电荷区中自建电场的方向自N区指向P区。由于光照可以在空间电荷区内部产生电子－空穴对，它们分别被自建电场扫向N区和P区,就如同有一个电子由P区穿过空间电荷区到达N区,形成光致电流。在空间电荷区附近一定范围内产生的电子－空穴对，只要它们能通过扩散运动到达空间电荷区,同样可以形成光致电流,光照产生的电子和空穴扩散运动所能走的距离为扩散长度。光致电流使N区和P区分别积累了负电荷和正电荷，在PN结上形成电势差,引起方向与光致电流相反的N结正向电流。当电势差增长到正向电流恰好抵消光致电流的时候，便达到稳定情况，这时的电势差称为开路电压。如果PN结两端用外电路连接起来，则有一股电流流过，在外电路负载电阻很低的情况，这股电流就等于光致电流，称为短路电流。
光生伏打效应的应用之一是把太阳能直接转换成电能，称为太阳电池。目前，用硅单晶材料制造的太阳电池，已经广泛地应用于很多技术部门，特别是航天技术。但是单晶硅太阳电池造价比较高。1975年实现了非晶硅的掺杂效应以后，很多人认为利用大面积非晶硅薄膜制备太阳电池是很有希望的。此外，利用光生伏打效应制成的光电探测器件也得到广泛的应用。
半导体界面包括有:由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面,即PN结；金属和半导体接触的界面；不同半导体材料制成的异质结界面以及由金属－绝缘体－半导体组成的 MIS系统的界面。在这些界面处都存在有一个空间电荷区,其中有很强的电场,称为自建电场。光照产生的电子－空穴对，在自建电场作用下的运动，就是形成光生伏打效应的原因。下面以PN结为例进一步具体说明。
在PN结交界面处N区一侧带正电荷，P区一侧带负电荷，空间电荷区中自建电场的方向自N区指向P区。由于光照可以在空间电荷区内部产生电子－空穴对，它们分别被自建电场扫向N区和P区,就如同有一个电子由P区穿过空间电荷区到达N区,形成光致电流。在空间电荷区附近一定范围内产生的电子－空穴对，只要它们能通过扩散运动到达空间电荷区,同样可以形成光致电流,光照产生的电子和空穴扩散运动所能走的距离为扩散长度。光致电流使N区和P区分别积累了负电荷和正电荷，在PN结上形成电势差,引起方向与光致电流相反的N结正向电流。当电势差增长到正向电流恰好抵消光致电流的时候，便达到稳定情况，这时的电势差称为开路电压。如果PN结两端用外电路连接起来，则有一股电流流过，在外电路负载电阻很低的情况，这股电流就等于光致电流，称为短路电流。
光生伏打效应的应用之一是把太阳能直接转换成电能，称为太阳电池。目前，用硅单晶材料制造的太阳电池，已经广泛地应用于很多技术部门，特别是航天技术。但是单晶硅太阳电池造价比较高。1975年实现了非晶硅的掺杂效应以后，很多人认为利用大面积非晶硅薄膜制备太阳电池是很有希望的。此外，利用光生伏打效应制成的光电探测器件也得到广泛的应用。
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参考词条