1) double-diffused MOSFET
双扩散型MOSFET
3) LDMOSFET
横向双扩散MOSFET
1.
The optimization of PSOI LDMOSFET structure was achieved through numerical analysis.
针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOILDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻。
4) VDMOSFET
垂直双扩散MOSFET
1.
Vertical Double-diffused MOSFET(VDMOSFET) is a main type among current Power MOSFET’s.
垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)是当今功率MOSFET的一种主要类型,其开关性能在应用中是非常重要的,主要取决于栅极和源极间的等效电阻Rg(简称栅电阻Rg)和输入电容Ciss的乘积。
5) Vertical Double Diffused MOSFET
功率纵向双扩散MOSFET
1.
Effect of Bipolar Turn-On on the Static Current-Voltage Characteristics of Power Vertical Double Diffused MOSFET;
双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响
6) double-diffusion theory model
双扩散理论模型
补充资料:核型双线性型
核型双线性型
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核型双线性型「.d.r肠11侧,r玩们11;,仄印.aa6~e面-”翻中opMa] 两个局部凸空间F和G的I冶。ld。乘积F xG上的一个双线性型B(f,g),它可以表示为 B(f,g)一艺、。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条