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1)  double-diffused MOSFET
双扩散型MOSFET
2)  DDD (Double diffused Drain) MOSFET
双扩散MOSFET
3)  LDMOSFET
横向双扩散MOSFET
1.
The optimization of PSOI LDMOSFET structure was achieved through numerical analysis.
针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOILDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻。
4)  VDMOSFET
垂直双扩散MOSFET
1.
Vertical Double-diffused MOSFET(VDMOSFET) is a main type among current Power MOSFET’s.
垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)是当今功率MOSFET的一种主要类型,其开关性能在应用中是非常重要的,主要取决于栅极和源极间的等效电阻Rg(简称栅电阻Rg)和输入电容Ciss的乘积。
5)  Vertical Double Diffused MOSFET
功率纵向双扩散MOSFET
1.
Effect of Bipolar Turn-On on the Static Current-Voltage Characteristics of Power Vertical Double Diffused MOSFET;
双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响
6)  double-diffusion theory model
双扩散理论模型
补充资料:核型双线性型


核型双线性型
uuoj Jramtiq aapaa

核型双线性型「.d.r肠11侧,r玩们11;,仄印.aa6~e面-”翻中opMa] 两个局部凸空间F和G的I冶。ld。乘积F xG上的一个双线性型B(f,g),它可以表示为 B(f,g)一艺、。<。,洲>,这里{几,}是一个可和序列,{f:}和{a:}分别是F和G的对偶空间F’和G‘中的等度连续序列(见等度连续性(闪u】contin山ty)),并且线性泛函a‘在向量a的值.所有的核型双线性型是连续的如果F是核型空间(nuclear spaCe),那么对任一局部凸空间G,FxG上的所有连续双线性型是核型的(核定理(ken祖1111印~)).这个结果属于A.GIO公lendi“盘(11〕);上面的陈述在〔21中给出;其他的陈述见〔31.逆命题成立:如果一个空间F满足核定理,那么它是核型空间. 对紧支集光滑函数空间,核定理由L .Scb认么rtZ第一个得到(〔4】).设D是实直线上所有带紧支集无穷次可微函数赋予标准的局部凸Sch们血拓扑的核型空间,则对偶空间D‘由直线上所有广义函数组成.在F=G=D的特殊情形下,核定理等价于下面的论断:D xD上的每一个连续双线性泛函具有形式 B(f,g)=(f(t:)g(tZ),F)= 一了F(‘:,:2)f(。.)。(:2)过:l、:2,这里f(r),g(r)‘D,并且F=F(r,,tZ)是一个两个变元的广义函数.对具紧支集的多变元光滑函数空间,急减函数空间,以及其他特定的核型空间有核定理的类似陈述.类似的结果对多重线性型成立. D xD上的一个连续双线性型B(f,g)可以用等式 B(f,夕)=(夕,Af>等同于一个连续线性算子A:D~D’,这导致Schwar锐核定理(Sc扮帖泣tZ kenle ltllco~):对任一连续线性映射A:D~D‘,存在一个唯一的广义函数F(亡,,tZ),使得对所有的feD, ,:f(:.)l一J;(‘,,:2),(。2)、‘2·换句话说,A是带核F的积分算子.
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参考词条