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1)  contamination condition
污秽状态
1.
Time domain characteristics of leakage current of insulators have been used to forecast contamination condition,but abundant forecast information in frequency components of leakage current has still been ignored.
针对现有染污绝缘子在线检测系统基于泄漏电流时域特征预测绝缘子污秽状态,而忽略了泄漏电流频域成分中含有丰富信息量的问题,提出了利用快速傅里叶变换(FFT)与功率谱估计相结合的分析方法,提取出泄漏电流的2个频谱特征量:3次谐波与基波幅值比κ和功率谱中高频能量与总能量之比α,作为污秽状态预测参量。
2)  pollution [英][pə'lu:ʃn]  [美][pə'luʃən]
污秽
1.
Research and application of detecting pollution based on microwave spectrum s performance;
微波波谱特性在污秽检测中的应用研究
2.
The Measurement of Pollution Equivalent Salt Density and Factors Affecting Its Accuracy;
污秽等值盐密的测量及影响其准确度的因素
3.
On the basis of data and anti-pollution technology knowledge,lots of technology research results,such as the correction of SPS,the correction of NSDD and so on should be considered in 800kV UHVDC transmission line external insulation design and arrangement.
针对污秽外绝缘设计是±800kV直流工程关键技术问题之一,提出了对±800kV直流输电线路绝缘子串进行污秽外绝缘设计考虑现场污秽度校正、NSDD校正及采用污耐压方法进行污秽外绝缘设计的方法;根据瓷、玻璃绝缘子的污耐压曲线对±800kV直流输电线路"I"型绝缘子串进行了污秽外绝缘设计。
3)  contamination [英][kən,tæmi'neiʃən]  [美][kən,tæmə'neʃən]
污秽
1.
Antenna temperature model of insulators contamination detected by radiometer;
辐射计检测绝缘子污秽的天线温度模型
2.
An on-line remote-monitoring system of insulator contamination based on GSM SMS;
基于GSM SMS的绝缘子污秽在线遥测系统
3.
An online monitoring system of insulator contamination;
绝缘子污秽在线监测技术与系统构成
4)  the squalor of the slums
贫民窟的污秽状况
5)  artificial contamination test
污秽试验
1.
The characteristics of leakage current(LC) were studied based on artificial contamination test,which obtained the relationship between leakage current and the influenced factors.
分析了表征污秽绝缘子运行状态的特征量,比较了各特征量的特点及其适用场所,总结了影响泄漏电流的特征量,在人工污秽试验的基础上,讨论了泄漏电流在闪络过程中的特征,得出了泄漏电流与其基本特征量之间的关系,通过希尔伯特变换的方法提取了泄漏电流包络线,分析了电弧延伸在污闪发展过程中对泄漏电流的影响。
2.
In this paper, statistics characteristics of leakage current were studied basing on a large number of data obtained from artificial contamination test, the factors influencing leakage current significantly were found and a regression equation was established.
基于恒压净雾人工污秽试验数据,利用统计分析理论,分析了泄漏电流Ileak的特性,讨论了在人工污秽试验过程中,显著影响Ileak的因素,计算了各因素影响因子的大小,得到了电流的回归方程。
6)  pollution flashover
污秽闪络
1.
The influence of ESDD and NSDD on flashover voltage was analyzed with single porcelain insulator(XP-210) as test sample in order to solve the damage problem of pollution flashover.
针对电力系统绝缘子污秽闪络产生的危害问题,采用升压法对涂污秽物的单片瓷绝缘子(XP-210)进行人工污秽试验,分析了不同盐密(NaCl)、灰密(硅藻土)对单片瓷绝缘子闪络电压的影响。
2.
The importance of study on pollution flashover was pointed out;taking concrete and NaCl as the pollution,the AC flashover characteristic of polluted composites insulators under the conditions with the same equivalent salt deposit density(ESDD) and different non-soluble deposit density(NSDD) was researched by test.
针对电力系统复合绝缘子污秽闪络产生的危害问题,提出了开展污秽闪络特性研究的重要性,研究了NaCl(盐密ESDD)一定的情况下,不同水泥污秽(灰密NSDD)对复合绝缘子污秽闪络特性的影响,研究结果表明:灰密对绝缘子人工污秽闪络电压也是有影响的,闪络电压与灰密成幂函数关系,并且灰密对闪络电压的影响是独立的。
补充资料:应力状态和应变状态
      构件在受力时将同时产生应力与应变。构件内的应力不仅与点的位置有关,而且与截面的方位有关,应力状态理论是研究指定点处的方位不同截面上的应力之间的关系。应变状态理论则研究指定点处的不同方向的应变之间的关系。应力状态理论是强度计算的基础,而应变状态理论是实验分析的基础。
  
  应力状态  如果已经确定了一点的三个相互垂直面上的应力,则该点处的应力状态即完全确定。因此在表达一点处的应力状态时,为方便起见,常将"点"视为边长为无穷小的正六面体,即所谓单元体,并且认为其各面上的应力均匀分布,平行面上的应力相等。单元体在最复杂的应力状态下的一般表达式如图1,诸面上共有9个应力分量。可以证明,无论一点处的应力状态如何复杂,最终都可用剪应力为零的三对相互垂直面上的正应力,即主应力表示。当三个正应力均不为零时,称该点处于三向应力状态。若只有两对面上的主应力不等于零,则称为二向应力状态或平面应力状态。若只有一对面上的主应力不为零,则称为单向应力状态。
  
  
  应力圆  是分析应力状态的图解法。在已知一点处相互垂直的待定截面上应力的情况下,通过应力圆可求得该点处其他截面上的应力。应力圆也称莫尔圆。图2b即为图2a所示平面应力状态下表示垂直于xx平面的面上之应力与x、x截面上已知应力间关系的应力圆。利用它可求得:①任意 α面上的应力;②"最大"和"最小"正应力;③"最大"和"最小"剪应力。由应力圆上代表"最大"和"最小"正应力的A、B点可知,这些正应力所在截面上的剪应力为零,因而"最大"和"最小"正应力也就是该点处的主应力。
  
  
  应变圆  也称应变莫尔圆,是分析应变状态的图解法,其原理与应力圆类似,但应变圆的纵坐标为负剪应变的一半,横坐标为线应变 ε。在已知一点处的线应变εx、εy与剪应变γxy时,即可作出应变圆,从而求得该点处主应变 ε1与ε2的大小及其方向。在实验分析的测试中常用各种形状的应变花测量(见材料力学实验)一点处三个方向的应变,例如用"直角"应变花可测得一点处的线应变ε、ε45°、ε90°。根据一点处三个方向的线应变也可利用应变圆求得该点处的主应变ε1与ε2
  
  广义胡克定律  当按材料在线弹性范围内工作时,一点处的应力状态与应变状态之间的关系由广义胡克定律表达。对于各向同性材料,弹性模量E、剪切弹性模量G、泊松比v均与方向无关,且线应变只与正应力σ有关,剪应变只与剪应力τ有关。三向应力状态下,各向同性材料的广义胡克定律为
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
   τxy=Gγxy
  
  
  
   τyz=Gγyz
  
  
  
   τzx=Gγzx平面应力状态(σz=0, τyz=0, γzx=0)下的广义胡克定律应用最为普遍
  
  
  
   单向应力状态下的胡克定律则为σ=Eε。
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条