1) amplitude modulation-nonlinear frequency modulation signal
振幅调制-非线性调频信号
2) NLFM signal
非线性调频信号
1.
First of all,this paper compares some typical methods of extracting the in-pulse features of NLFM signal,such as wavelet transformation,PWD.
通过讨论小波变换法、伪威格纳威尔分布(PWD)法等典型非线性调频信号脉内特征提取方法,提出了将小波变换法和PWD法提取的结果进行截断综合,再提取时频图脊线的新算法。
2.
The basic principles of weight Linear Frequency-Modulated (LFM) signals and NLFM signals are introduced.
在研究线性调频信号加权和非线性调频信号产生原理的基础上,针对大时宽带宽积信号,基于4种窗函数对2种调频信号形式进行了波形设计,并进行了仿真,给出了不同设计波形的脉压性能,其结果对于大时宽带宽积信号的波形选择具有指导意义。
3.
The principium of NLFM Signal generation is expounded, and then the influence of Doppler-toler-ance of the signal, quantization digits and sampling frequencies on the digital pulse compression is analysed, by designing the waveform of NLFM signal on the basis of the fourth power of cosine window function.
阐述了非线性调频信号产生的基本原理,并基于余弦四次方窗进行了非线性调频信号波形设计,分析了该非线性调频信号的多普勒容限及量化位数和采样频率对数字脉压的影响,仿真结果表明该非线性调频信号具有一定的优越性,并对其数字脉压的工程实现有一定指导意义。
3) NLFM
非线性调频信号
1.
Design of NLFM Signal Based on Window Functions and Analysis of Its Performance;
基于窗函数的非线性调频信号的设计和性能分析
4) nonlinear frequency modulated signal
非线性调频信号
1.
The results of traditional Chirplet decomposition are not accurate for a complex signal,and this disadvantage is overcome by extending the Chirplet atoms to nonlinear frequency modulated signal.
本文首先提出一种新的信号分解算法——修正自适应Chirplet分解算法,将Chirplet基函数推广到非线性调频信号的形式,克服了传统自适应Chirplet分解对复杂信号逼近程度不高的缺点。
5) linear and non-linear frequency-modulated signal
线性和非线性调频信号
6) S-mode nonlinear frequency modulated signal
S型非线性调频信号
1.
The waveform design method of S-mode nonlinear frequency modulated signal is introduced,aiming at the compression result failed to meet the practical requirement after matched filter,the spectra modification technique is adopted to simulate a set of signals with different products of timewidth and bandwidth.
首先阐述了非线性调频信号的设计原理,介绍了S型非线性调频信号的波形设计方法。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条