1) Switching characteristics
开关特性
1.
The influences of the small signal gain and loop s time asymmetry on the switching characteristics of TOAD are studied in detail considering thoroughly the effects of the gain saturation and recovery of the semiconductor optical amplifier (SOA) in a terahertz optical asymmetric demultiplexer (TOAD).
充分考虑了太赫兹光非对称解复用器 (TOAD)中半导体光放大器 (SOA)的增益饱和与恢复的影响 ,深入分析研究了小信号增益及环时间非对称性对TOAD开关特性的影响 。
2.
The switching characteristics of ferroelectric thin films and the measurement of relevant parameters are discussed.
分析测量了铁电薄膜的开关特性。
3.
In this paper, the influences of nonlinear gain compression (NGC) on switching characteristics of a terahertz optical asymmetric demultiplexer (TOAD) are investigated thoroughly by taking into account the gain saturation and NGC effects of semiconductor optical amplifier (SOA).
考虑半导体光放大器 ( SOA)的增益饱和与非线性增益压缩效应 ,详细研究了非线性增益压缩对太赫兹光非对称解复用器 ( TOAD)开关特性的影响 ,并首次提出了有效开关窗口宽度的概念 。
2) switching characteristic
开关特性
1.
By using the mathematical model of solenoid valve and combining the digital simulation, the paper researches the mechanism of switching characteristics of the valve.
为改善高速电磁阀的开关特性，从电磁阀的数学模型着手，用实验仿真的方法，分析了高速电磁阀的开关特性机理，提出了高速开关阀的设计准则，探讨了阀芯质量、阀芯行程、线圈匝数、线圈电阻、驱动电压与电流等各参数对开关特性的影响。
2.
The Ishibashi Takagi theory on the switching characteristics of ferroelectrics for categories Ⅰ and Ⅱ are compared with results obtained by considering joined effect of both categories.
将 Ishibashi- Takagi的 类和 类铁电薄膜开关特性理论与同时考虑两种类型的理论结果进行了比较 ,研究结果表明 ,Ishibashi- Takagi理论较合理地反应了铁电薄膜中电畴反转特征 ,仅在较小范围内有必要考虑 、 类铁电体的联合作
3.
The switching characteristics of such power devices have direct impacts upon the converter performance.
IGBT功率开关器件在现代大功率变换器中的应用非常广泛,其开关特性直接影响到变换器的性能。
3) switching property
开关特性
1.
The operating condition of Power MOSFET in practical applications is very different from the descriptions in current documents,and misemploy of Power MOSFET easily results in device damage and equipment breakdown,so the switching property of Power MOSFET is studied as viewed from practices.
针对实际应用中Power MOSFET开关工作状况与现有文献的描述有很大不同,使用不当易造成器件的损坏和设备的崩溃这一现象,在应用条件下对Power MOSFET开关特性进行了研究,深入分析了Power MOSFET的开关过程,提出了关于开关过程四阶段的新观点,并采用对开关过程的等效输入电容进行分段线性化的新方法对不同阶段的开关参数进行了计算,搭建了开关特性实验电路,实验结果表明,提出的Power MOSFET开关过程四阶段的新观点是正确的,等效输入电容分段线性化的新方法是合理的。
4) gating characteristics
开关特性
1.
The effect of PMAA grafting yield on the gating characteristics of pH-responsive gating membrane was investigated systematically.
利用等离子体诱导填孔接枝聚合法在聚偏氟乙烯多孔膜上接枝聚甲基丙烯酸pH感应型开关,系统研究了接枝率对膜的pH感应开关特性的影响。
2.
A series of pH responsive gating membranes, with a wide range of grafting yields, were prepared by grafting poly(acrylic acid) (PAAC) onto porous polyvinylidene fluoride (PVDF) membrane substrates with a plasma induced pore filling polymerization method The effect of grafting yields on gating characteristics of pH responsive gating membranes was investigated systematically.
然而,在这类开关膜的接枝率对其膜孔开关特性的影响方面,研究报道尚很少见。
3.
The effect of grafting yield on gating characteristics of thermo-responsive gating membranes was investigated systematically.
利用等离子体诱导填孔接枝聚合法将聚 (N 异丙基丙烯酰胺 ) (PNIPAM)接枝聚合在聚偏氟乙烯(PVDF)微孔膜上制备了一系列具有较宽接枝率范围的温度感应式开关膜 ,系统地研究了接枝率对膜的温度感应开关特性的影响 。
5) Switching Performance
开关特性
1.
Switching Performance and Safe\|Operation\|Area for MOS Dual\|Gated Emitter\|Switched Thyristor;
双MOS门极控制的EST的开关特性和安全工作区
补充资料：AC-DC-AC-DC型开关稳压电路
AC-DC-AC-DC型开关稳压电路
AC-DC-AC-DC type switching voltage stabilizing circuits
对小功率的AC一DC一AC一IK!型稳压电路，可省去图中的集成驱动器，由集成控制器直接驱动。AC一DC一AC一】兀型稳压电路组成的开关电源及模块，广泛应用于通信和其他电子设备中作为一次电源用。AC DC ACDCx一rlg伙019七Jo了1 wenyod旧z〕JLJAC一OC一AC一OC型开关稳压电路(AC一DC一AC一IX二type switehing voltage stabilizingcircuits)将交流电压通过整流滤波电路及DC一〔X)开关变换器，并借助反馈环节得到稳定直流输出电压的开关型稳压电路。其原理方框图如图所示。图中输人和输出端都加有噪声溥波器。电容滤波的全波整流电路中，开机时有一大的充电电流流过整流管。为了削弱该冲击电流，在AC一DC一AC一IX{型稳压电路中加人软起动电路。又因电容滤波的整流电路中电流失真很大，使功率因数很低。为了提高功率因数，通常采用功率因数校正技术。90年代以前，采用无源校正技术，只能对基波进行相移补偿或抑制某些指定的谐波。实际应用中，还受到体积、质量、价格等因素的限制。9。年代普遍采用高频有源功率因数校正技术。图中的有源功率因数校正电路实质上是一种升压式有源功率因数校正(b oost一PFC)电路(见DC一DC型开关稳压电路)。它可将稳压电路的输入电流波形变换为与输入电网电压同相位的正弦波，变换效率可大于98%。这样，可以降低线路损耗，节约能源，减小电网的谐波污染。┌───┐ ┌────┐┌─────────┐┌──┐│NF │ ┌───┐│ pFC ││ OC~O(: ││ 哪││，噪声│ │_整流 ││功率因数││ 变换器 ││噪声││健波 │ └───┘│ 校正 ││(含高频整流及滤波)││滤波││ │ │ │└─────────┘│ │└───┘ └────┘ └──┘ ┌─────┐ │ SS │ ┌─────┐ │软起动 │ │集成驱动器│ │ │ └─────┘ └─────┘ ┌─────┐ │集成控制器│ └─────┘ AC一1)C一AC一1)C型开关稳压电路原理方框图
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参考词条