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1)  acceleration switch
加速度开关
1.
Research on shield methods of micro acceleration switch under high impact;
加速度开关在高冲击环境中的防护技术研究
2.
Fabrication of UV-LIGA micro acceleration switch;
准LIGA微加速度开关的研制
3.
Design of improving antivibration ability on acceleration switch;
提高加速度开关抗振动能力的设计
2)  micro acceleration switch
微加速度开关
1.
Design of high g_n micro acceleration switch
高g_n值微加速度开关设计
2.
A dynamics model of a novel micro acceleration switch of permanent magnetic force was established.
针对一种新型磁力微加速度开关设计方案,建立了该开关系统的动力学方程,给出了影响开关动作的永磁力、表面接触力计算公式。
3.
Based on the MEMS security system, the dissertation does some reseaches of the high-g micro acceleration switch in the application of recoil safety structure mainly.
基于MEMS安全系统,本文主要研究高g值微加速度开关在后坐保险机构中的应用。
3)  micromachined silicon acceleration switch
硅微加速度开关
1.
The designing technique of a micromachined silicon acceleration switch with cross beams is discussed in this paper.
针对一种新型交叉梁硅微加速度开关的设计技术进行了研究,首先推导了结构的静态刚度,确定了一种敏感芯片结构尺寸,在此基础上利用有限元方法仿真计算不同方向加速度作用下的结构变形情况。
4)  shocking-acceleration switch
冲击加速度开关
5)  acceleration switch
加速开关
6)  switching speed
开关速度
1.
Metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) is widely applied in converter circuit because of its high switching speed and easy driving, which brings severe electromagnetic interference(EMI).
由于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)存在开关速度快、驱动容易等特点,故在变流电路中大量使用,但由此而产生的电磁干扰也越来越严重。
2.
Facing the present situation that the switching speed of high-voltage oil load switch is not fixed, this paper analyzes various speed-measuring method and error in measurement and gives concrete suggestions about switch speed definition and measuring method of high-voltage load switch.
针对高压油断路器的开合速度在现场测量无统一规定的现状 ,通过分析各种测速方法和测试误差 ,对高压断路器的开关速度定义及测试方法提出了具体的建议。
3.
We present detailed analysis and quantitative computation on the input connection methods of CMOS gate circuits which have various effects on output resistance,transfer characteristic,switching speed,dynamic power consumption and so on.
详细分析并定量计算了对于CMOS门电路输入端不同的连接方法将对电路的输出电阻,传输特性,开关速度及动态功耗等性能产生不同的影响,这对于CMOS集成电路的实际应用及采用何种方法处理CMOS门电路的输入端等方面具有一定的参考指导作
补充资料:法向加速度
      (见加速度)。
  

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