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1)  low temperature resistivity
低温电阻率
2)  Abnormality of resistivity at low temperature
低温电阻率反常
3)  low room temperature resistivity
低室温电阻率
4)  minimum electrical resistivity phenomenon at low temperature
低温电阻率极小
1.
Intrinsic abnormal minimum electrical resistivity phenomenon at low temperature was observed in Perovskite like La 1/3 Nd 1/3 Ba 1/3 MnO 3 and La 1/3 Nd 1/3 Sr 1/3 MnO 3 Oxides with CMR effect.
发现在La1/ 3 Nd1/ 3 Ba1/ 3 MnO3 和La1/ 3 Nd1/ 3 Sr1/ 3 MnO3 材料中存在低温电阻率极小值现象·经曲线拟合分析后 ,认为其机理在于材料中存在类似于磁性杂质对传导电子自旋散射造成的近藤效应 (KondoEffect) ,是出现局域磁有序的结
5)  low-temperature resistance
低温电阻
6)  low temperature resistance
低温电阻
1.
We report the particular sample preparation method and the experimental results of the low temperature resistance and specific heat of heavy electron metals CeCu 6- x Zn x(x =0.
3)样品的非常规制备方法以及低温电阻和低温比热容的测量结果 ,研究Zn含量对CeCu6 -xZnx 低温性质的影响及其物理原因 。
2.
In this paper, the experimental results of the low temperature resistance between 0\^1K to 250K and specific heat between 5K to 70K of heavy fermion compounds CeCu 6 x Ni x ( x =0 0,0 05,0 1,0 15,0 2) are reported.
测量了重电子金属CeCu6 -xNix(x =0 ,0 0 5 ,0 1,0 15 ,0 2 ) 0 1K— 2 5 0K的低温电阻和 5K— 70K低温比热 ,发现样品电阻的极大值温度随着掺Ni含量的增大而急剧下降 ,这一现象反映少数与Ni邻近的Ce离子在极低温下磁矩的加强和整个Ce离子点阵对导电电子相干散射的减弱 。
补充资料:电导率(见电阻率)


电导率(见电阻率)
conductivity

d!日nd日O}已电导率(eonduetivity)见电阻率。
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参考词条