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1)  thyristor/symmetric gate commutated turn-off thyristor
晶闸管/对称门极换向晶闸管
2)  gate commutated thyristo
门极换向晶闸管
1.
Through the analysis of many diffusion barriers,TiN thin film was chosen as the diffusion barrier for the anode metallization of gate commutated thyristor for its high melting point and chemistry stability and low electrical resistivity.
通过对多种阻挡层特性的分析,选定了熔点高、化学稳定性好、电阻率低的TiN薄膜作为门极换向晶闸管阳极的阻挡层。
3)  integrated gate commutated thyristor
集成门极换向晶闸管
1.
Through analyzing the topology,control system and protection system of large power high voltage converter equipped with integrated gate commutated thyristor(IGCT),a set of 7.
通过对大功率集成门极换向晶闸管(IGCT)高压变流器的结构、控制系统、保护系统的研究,设计出一套7。
4)  IGCT
集成门极换向型晶闸管
1.
The excellent characteristics of IGCT make it suitable for implementing medium voltage drive (MVD).
集成门极换向型晶闸管 ( IGCT)的优良性能使其适合于实现高—高方式的高压变频调速装置。
2.
Characteristics of the transparent anode for the integrated gated commutated thyristor(IGCT) is analyzed and numerically simulated.
分析了集成门极换向型晶闸管 (IGCT)的透明阳极相对于传统阳极的特点 ,并进行了数值模拟 。
3.
The em ergency of the hard driven concept drastically improves the turn- off performance of GTO,and brings about a new type of power semi- conductor nam ed integrated gate commutated thyristor IGCT .
硬驱动概念的出现极大地改进了门极可关断晶闸管 (GTO)的关断性能 ,并导致了集成门极换向型晶闸管 (IGCT)的出现。
5)  IGCT
集成门极换向晶闸管
1.
In view of the demand of static compensator(STATCOM) with and over 100 Mvar for Integrated Gate Commutated Thyristor (IGCT) connected in series,the authors have designed an experimental prototype,on which 6 pieces of 5SHY 35L4503 with 4.
0kA)集成门极换向晶闸管IGCT(IntegratedGateCommutatedThyristor)的应用进行了研究。
2.
Today Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT) are widely used for different applications such as medium voltage drives (MVD) and interties.
目前,集成门极换向晶闸管(IGCT)被广泛地应用于不同的领域,诸如中电压传动(MVD)和扣联锁电力网等。
3.
Through research on topology and control system and protection system of IGCT-based large power three-level AC-DC-AC converter,a set of 7.
通过对基于集成门极换向晶闸管(IGCT)的大功率三电平交-直-交变流器的结构、控制系统、保护系统的研究,设计了一套7。
6)  Integrated Gate Commute Thyristor(IGCT)
集成门极换向晶闸管(IGCT)
补充资料:可控闸流管
      以硅单晶为基本材料的、具有三个PN结的四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体可控整流器(图1),简称可控硅。
  
  
  三个电极分别称为阳极A、阴极 K和控制极G。器件的阳极和阴极间的基本电流-电压特性如图2。加反向(阳极接负)偏压时,可控闸流管特性和PN结二极管的反向特性相似。当加正向(阳极接正)偏压时,在一定电压范围内,可控闸流管处于阻抗很高的关闭状态(正向阻断)。当正向电压大于转折电压(转折点1处的电压)时,器件迅速转变到低电压大电流的通导状态。
  
  
  当器件处于关闭状态时,如果使控制极有适当大小的电流,则器件可迅速被触发而转变到通导状态,此后控制极失去作用。当器件的电流减小到低于维持电流(图中点2处的电流),或使阴极-阳极电压减小到零或负值,器件又恢复到关闭状态。
  
  
  通导过程用 P1N1P2和N1P2N2两个晶体管的等效结构来表示(图3)。当加上正向电压时,外面两个PN结J1、J3处于正偏置,中间J2结处于反偏置。这两个晶体管的每个晶体管的基区与另一晶体管的集电区相联,若α1、α2为两个晶体管的电流放大系数,它们随电流大小而变化,当α12<1时,可控硅处于关断状态;当α12>1时,可控硅处于通导状态;当控制极通入适当电流,两个晶体管的基极及集电极电流都增大,当α1及α2增加到α12>1时,器件由关断状态迅速转变到通导状态。
  
  当晶体管处于通导状态时,即使把控制极电流切断,晶体闸流管仍维持通导。只有将硅晶体闸流管的电流减小到比α12=1相对应的维持电流还小时,它才重新回到关断状态。因此可控闸流管除具有整流特性外,还具有开关特性。
  
  螺旋型可控闸流管电流小于100安;平板型可控闸流管一般在200安以上,工作电压从几十伏到几千伏,多用于整流相位控制、低频开关、逆变、变频、斩波、调速以及脉冲调制等。
  

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参考词条