1) nonlinear time-varying feature
非线性时变特性
1.
Aiming at the tracking control problem of hydraulic position servo systems with nonlinear time-varying feature, a design method of filtered-X hydraulic position adaptive inverse control was presented based on adaptive inverse control.
针对非线性时变特性的液压位置伺服系统跟踪控制问题,基于自适应逆控制理论,提出X滤波液压位置自适应逆控制策略。
2) nonlinear time-varying
非线性时变
1.
Identifying nonlinear time-varying structural system based on NARMA model;
利用NARMA模型辨识非线性时变结构系统
3) time-variant nonlinear
时变非线性
4) nonlinear characteristics of deformation
非线性变形特性
5) linear time invariant feature
线性时不变特性
1.
The result shows that the system of mesoscopic RLC circuit has linear time invariant feature,and the response in mesoscopic RLC circuit is the same as that,in the macroscopi.
以及电荷、电流对输入电压信号的零状态响应,结果表明介观RLC电路系统具有线性时不变特性,且电荷与电流的零状态响应与宏观RLC电路的结果相同。
2.
The result showed that the system of mesoscopic LC circuit has linear time invariant feature, and the response in mesoscopic LC circ.
研究了介观LC电路的零状态响应问题,求出电荷与电流对输入电压信号的零状态响应的完全解,结果表明介观LC电路系统具有线性时不变特性,且电荷与电流的零状态响应与宏观LC电路的结果相同。
3.
The result shows that the system of capacitance coupled mesoscopic circuit has linear time invariant feature,and the response in mesoscopic .
采用代数动力学规范变换方法,求出含时变电压源的电容耦合介观电路量子态随时间演化算符的精确解,导出电容耦合介观电路电荷和电流对输入电压信号的零状态响应的完全解,结果表明电容耦合介观电路系统具有线性时不变特性,且电荷与电流的零状态响应与相应宏观电路的结果一致。
6) linear and nonlinear time varying delays
线性及非线性时变时延
1.
A new method is proposed for stability analysis of neural networks with linear and nonlinear time varying delays.
对一类含线性及非线性时变时延神经网络系统提出了一种研究稳定性的新方法。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条